机译:CH_3SSCH_3的解离光电离在大约8-25 eV的范围内
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机译:VUV和软X射线区域(8.5-80 eV)中二甲醚的离子光裂解和光电离-分子和解离光电离的绝对振荡器强度
机译:使用3-D多重合离子动量成像光谱法在25-45 eV能量范围内进行丁二烯的解离双光电离
机译:通过在源极和漏极区域引入凹陷的Si / sub 0.8 / Ge / sub 0.2 /,可将p型多栅极FET(MuGFET)器件的驱动电流提高25%
机译:居住在美国中大西洋和新英格兰地区的25至45岁年龄段消费者对过犯相关性和主动披露的反应
机译:Ha-ras p21突变定义了鸟嘌呤核苷酸解离刺激物SDC25 C结构域的分子机制的重要区域。
机译:硫氰酸酯,第三部分的电子性质和解离光离析。 CCL3SCN和CCL2FSCN的价值和浅核(硫和氯2P)区中基团电负性的影响
机译:从阈值到107eV的N2的总和离解光电离截面