Ge-Si alloys; MIS devices; MOSFET; contact resistance; Si/sub 0.8/Ge/sub 0.2/; drive current improvement; p-type multiple gate FET; pMOS MuGFET devices;
机译:通过栅极功函数和源极/漏极注入工程提高窄MuGFET的性能
机译:高性能锗$ Omega $-具有肖特基势垒镍锗化物源极/漏极和低温乙硅烷钝化栅叠层的栅极MuGFET
机译:栅极凹槽轮廓对Ga / sub 0.51 / In / sub 0.49 / P / In / sub 0.2 / Ga / sub 0.8 / As掺杂沟道FET器件性能的影响
机译:通过引入源极和漏极区域的凹陷Si / Sub 0.8 / Ge / Sub 0.2 /在源极和漏区时,P型多栅FET(MUGFET)器件的25%驱动电流改进
机译:高级MOSFET器件的源/漏和栅极设计。
机译:具有InAs / Si异质结和源极口袋结构的双栅隧道FET的漏极电流模型
机译:使用平均RF栅极和漏极电流确定窄凹和宽凹MESFET的增益压缩机制
机译:利用无缺陷栅极凹陷和激光退火改善alGaN / GaN / si mOsFET的器件性能和可靠性。