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机译:正向电流脉冲作用下高压4H-SiC p-i-n二极管的退化特性
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机译:4H-SiC p-i-n二极管正向电流退化中的界面位错和扩展的单个Shockley型堆垛层错的结构分析
机译:基面位错结构对4H-SiC p-i-n二极管正向电流退化中单个肖克利型堆叠故障扩展的影响
机译:Al植入的4H-SiC P-I-N二极管前电流的分析模型在各种温度下
机译:脉冲电流电解中的两个同时反应
机译:伤口治疗中的高压脉冲电流电刺激
机译:快速脉冲高压真空二极管中的电流密度限制