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机译:三星将使用30nm级技术生产DDR3 DRAM
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机译:具有双DCC电路的3.57 Gb / s / pin低抖动全数字DLL,用于采用54nm CMOS技术的GDDR3 DRAM
机译:采用硅通孔技术的8 Gb 3-D DDR3 DRAM
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机译:基于技术-计算机辅助设计的DRAM存储电容器可靠性预测模型
机译:DDR3 sDRam标准技术分析