Mikrostrukturelle Vorgange bei der Verschweissung von AlSi1-Draht im Ultraschall-Wedge/Wedge-Bondprozess - Teil 1

摘要

Im Mittelpunkt der Arbeit stehen sowohl die metallkundlichen Vorgange bei der Verschweissung am Interface als auch Gefugeeigenschaften im verwendeten Bonddraht. Diese Vorgange sind sehr eng mit der Oberflachenaktivierung der Fugepartner und der Drahtdeformation in z-Richtung verknupft. Entgegen der bisherigen Vorstellungen wird die flash-Goldschicht der Leiterplattenmetallisierung durch die Relativbewegung zwischen Draht und Substrat beim Ultraschall-Wedge/Wedge-Bonden nicht durchgerieben, sondern bleibt als Bestandteil des elektrischen Kontaktes erhalten.