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Anwendung der FIB fur Materialwissenschaft und Fehleranalyse

机译:FIB在材料科学和失效分析中的应用

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摘要

In der Entwicklung, Fertigung und Fehleranalyse von Mikroelektronik wurde die Focused Ion Beam (FIB) Technologie in den letzten Jahren zu einem unerlasslichen Werkzeug. Da mit dem lonenstrahl je nach der Verwendung von Reaktionsgasen leitende oder isolierende Strukturen von etwa 20 nm bis 100 mm effizient hergestellt, modifiziert oder abgetragen werden konnen, eroffnen FIBs neue Moglichkeiten in der Materialwissenschaft, insbesondere auch die in der Mikro- und Nanotechnik unerlassliche Zielpraparation von TEM-Lamellen. Dabei konnen auch Proben mit Phasen extrem unterschiedlicher Harte ohne Verschmierung oder Erzeugung von Artefakten prapariert werden, wobei die Amorphisierung einiger Atomlagen durch den lonenstrahl beachtet werden muss. Mit der Kombination einer Elektronen- und lonensaule in einem modernen Dual-Beam-FIB werden eventuelle Storungen minimiert. Nach einer Beschreibung der speziellen Eigenschaften des lonenstrahls und des FIB-Aufbaus berichten wir uber eine Auswahl von Anwendungen in der Material- und Biowissenschaft sowie der Mikro- und Nanoelektronik.The Focused Ion Beam (FIB) technology has become an indispensable tool in the development, manufacture, and failure analysis of microelectronic devices in recent years. Since the ion beam allows to manufacture, modify or etch conducting or insulating structures of about 20 nm to 100 mu m in an efficient way, depending on the use of reaction gases, FIB's open up new prospects in materials science and, in particular, the target preparation of TEM lamellae which is indispensable in the micro- and nanotechnologies. In this context, FIB technology also makes it possible to prepare samples with phases of extremely different hardnesses without smearing or producing artifacts, but it has to be noted that the ion beam amorphizes some atomic layers at the surface. A combination of an electron column and an ion column within an advanced dual beam FIB will minimize possible defects. We first provide a description of the specific properties of the ion beam and the FIB set-up and will then report about a range of applications in materials- and bio-science as well as in micro- and nanoelectronics.
机译:近年来,聚焦离子束(FIB)技术已成为微电子技术开发,制造和故障分析中不可或缺的工具。由于可以根据反应气体的使用,有效地产生,修饰或去除约20 nm至100 mm的导电或绝缘结构,因此FIB开启了材料科学特别是靶材制备的新可能性。 TEM板条。还可以制备硬度相差极大的样品,而不会产生污点或产生伪影,因此必须考虑离子束对某些原子层的非晶化作用。通过在现代双束FIB中结合使用电子和离子柱,可以将可能的干扰降到最低。在描述了离子束和FIB结构的特殊性质之后,我们报告了在材料和生命科学以及微电子和纳米电子学中的应用选择,聚焦离子束(FIB)技术已成为开发中必不可少的工具,近年来微电子设备的制造和故障分析。由于离子束可以根据反应气体的使用,以有效的方式制造,修改或蚀刻大约20 nm至100μm的导电或绝缘结构,因此FIB在材料科学尤其是材料科学领域开辟了新的前景。在微技术和纳米技术中不可缺少的TEM薄片的目标制备。在这种情况下,FIB技术还可以制备硬度相差悬殊的样品而不会产生污迹或产生伪影,但是必须注意,离子束使表面的某些原子层非晶化。先进的双束FIB中的电子柱和离子柱的组合将使可能的缺陷减至最少。我们首先提供离子束和FIB设置的特定属性的描述,然后将报告有关材料和生物科学以及微电子和纳米电子领域的一系列应用。

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