机译:在500 GeV / c pi(-)-核子相互作用中产生的D *(+/-)(2010)的微分截面,电荷产生不对称和自旋密度矩阵元素
机译:在500 GeV / c pi(-)-核子相互作用中产生的D *(+/-)(2010)的微分截面,电荷产生不对称和自旋密度矩阵元素
机译:在500 GeV / c pi(-)核子相互作用中生产Lambda(+)(c)和Lambda(-)(c)重子的不对称性
机译:在500 GeV / c pi(-)-核子相互作用中生产Lambda(0),Xi(-)和Omega(-)超子的不对称性
机译:测量中子制作双差分横截面为0.8和1.5 GEV质子的最大方向的发病率
机译:带电D *(2010)的微分截面,电荷产生不对称性和自旋密度矩阵元素以500 GeV / c的带电核子相互作用产生了介子。
机译:在...公式... ...公式...的质子-质子碰撞中测量t通道单顶夸克产生的微分截面和电荷比率
机译:在500 GeV / c pi ^-核子相互作用中产生的D *(2010)的微分截面,电荷产生不对称和自旋密度矩阵元素
机译:在200 GeV / c pp和p-bar p相互作用中,高横向动量包含(pi)(sup 0)产生的单自旋不对称和不变截面