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ECS Solid State Letters
>2015年第4期
ECS Solid State Letters
SCI
EI
中文名称:ECS固态字母
ISSN:
2162-8742
出版周期:
Monthly
发文量:255
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1.
Aging-Dependent Electrical Properties in Polymer-Passivated ZnO Nanowire Field Effect Transistors
机译:
聚合物钝化ZnO纳米线场效应晶体管中取决于老化的电性能
作者:
Hong Woong-Ki
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2015年第4期
2.
Self-Aligned Fin-On-Oxide (FOO) FinFETs for Improved SCE Immunity and Multi-V-TH Operation on Si Substrate
机译:
自对准氧化铟锡(FOO)FinFET用于改善SCE免疫力并在Si基板上实现多V-TH操作
作者:
Ma Xiaolong
;
Yin Huaxiang
;
Hong Peizhen
;
Xu Weijia
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2015年第4期
3.
Enhanced Physical and Electrical Characteristics of Screen-Printed n-Type Mono-Crystalline Silicon Solar Cells by AgAl Front Pastes with Various Aluminum Contents
机译:
铝含量不同的AgAl正面胶增强丝网印刷n型单晶硅太阳能电池的物理和电特性
作者:
Chiu Yu-Shun
;
Cheng Chin-Lung
;
Whang Thou-Jen
;
Chu Hsien-Min
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2015年第4期
4.
Solution-Growth ZnO Nanorods for Light Extraction in GaN-Based Flip-Chip LEDs
机译:
溶液生长的ZnO纳米棒,用于基于GaN的倒装芯片LED中的光提取
作者:
Lin Nan-Ming
;
Shei Shih-Chang
;
Chang Shoou-Jinn
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2015年第4期
5.
Fabrication of Ag Nanorods-Embedded P3HT/PCBM Films for the Enhancement of Light Absorption
机译:
Ag纳米棒嵌入式P3HT / PCBM膜的制备,以增强光吸收
作者:
Park Jong Bae
;
Bae Tae Sung
;
Sohn Jung Inn
;
Cha SeugNam
;
Lee Jouhahn
;
Kim Seong Kyu
;
Hong Woong-Ki
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2015年第4期
6.
Electrical Investigation of Deep-Level Defects Introduced in AlGaN/GaN Heterostructures by CF4 Plasma Treatments
机译:
CF4等离子体处理在AlGaN / GaN异质结构中引入深层缺陷的电学研究
作者:
Kawakami Retsuo
;
Nakano Yoshitaka
;
Niibe Masahito
;
Shirahama Tatsuo
;
Mukai Takashi
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2015年第4期
7.
Hysteresis of Transistor Characteristics of Amorphous IGZO TFTs Studied by Controlling Measurement Speed
机译:
通过控制测量速度研究非晶IGZO TFT的晶体管特性的磁滞
作者:
Chen Yi-Jung
;
Tai Ya-Hsiang
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2015年第4期
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