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ECS Solid State Letters
>2012年第2期
ECS Solid State Letters
SCI
EI
中文名称:ECS固态字母
ISSN:
2162-8742
出版周期:
Monthly
发文量:255
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1.
Impact of the Plasma Ambient and the Ruthenium Precursor on the Growth of Ruthenium Films by Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition
机译:
血浆环境和钌前体对血浆增强原子层沉积钌膜生长的影响
作者:
J. Swerts
;
A. Delabie
;
M. M. Salimullah
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
2.
abrication of Cu(In,Ga)Se2 Thin Films from Nanoparticles by Non-Vacuum Mechanochemical Method and Rapid Thermal Annealing Process
机译:
通过非真空机械化学方法和快速热退火工艺从纳米颗粒制造Cu(In,Ga)Se2薄膜的制造
作者:
Ying Liu
;
Deyi Kong
;
Hui You
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
3.
The Effect of Al and Ni Top Electrodes in Resistive Switching Behaviors of Yb_2O_3-Based Memory Cells
机译:
基于YB_2O_3的存储器单元的电阻切换行为的Al和Ni顶电极的效果
作者:
Somnath Mondal
;
Jim-Long Her
;
Fu-Hsiang Ko
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
4.
Lateral Heterogeneities in ZnO Electrodeposits and Their Impact on Electrical and Optical Properties
机译:
ZnO电沉积物的横向异质性及其对电气和光学性质的影响
作者:
Tiju Thomas
;
Shawn Chatman
;
Jake Wells
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
5.
Enhanced Optical and Electrical Properties of GaN-Based Light-Emitting Diodes with Interconnecting Indium Tin Oxide Nanowires Using Self-Assembled NaCl Particles
机译:
使用自组装的NaCl颗粒互连氧化铟锡纳米线的GaN基发光二极管的光学和电性能增强
作者:
Ting Tian
;
Yiyun Zhang
;
Xiaoyan Yi
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
6.
Photoluminescence Characteristics of In_2O_3 Quantum Dot (QD)-SiO_2 Nanocomposite Thin Films Containing Various QD Sizes
机译:
IN_2O_3量子点(QD)-SiO_2纳米复合薄膜的光致发光特性含有各种QD尺寸的纳米复合薄膜
作者:
Yang-Ru Lyu
;
Tsung-Eong Hsieh
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
7.
Improved Thermal Stability and Electrical Properties for Al-Sb-Te Based Phase-Change Memory
机译:
基于AL-SB-TE的相变存储器的热稳定性和电性能提高
作者:
Cheng Peng
;
Liangcai Wu
;
Feng Rao
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
8.
Interfacial Properties of ALD-Deposited Al_2O_3/p-Type Germanium MOS Structures: Influence of Oxidized Ge Interfacial Layer Dependent on Al_2O_3 Thickness
机译:
ALD沉积的AL_2O_3 / p型锗MOS结构的界面性质:氧化型GE界面层依赖于AL_2O_3厚度的影响
作者:
M. Botzakaki
;
A. Kerasidou
;
L. SygelIou
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
9.
Amorphous-InGaZn04 Thin-Film Transistors with Damage-Free Back Channel Wet-Etch Process
机译:
Amorphous-Ingazn04薄膜晶体管,带无损背通道湿蚀刻工艺
作者:
Sang Hyun Ryu
;
Young Chul Park
;
Mallory Mativenga
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
10.
Plasma Prepared Platinum-Carbon Nanotubes as Methanol Oxidation Catalysts for DMFC
机译:
等离子体制备铂 - 碳纳米管作为DMFC的甲醇氧化催化剂
作者:
Mingming Song
;
Qi Wang
;
Xiao Zuo
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
11.
Effect of Temperature on Pad Surface Contact Area in Chemical Mechanical Planarization
机译:
温度对化学机械平面化垫表面接触面积的影响
作者:
Y. Jiao
;
Y. Zhuang
;
X. Liao
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
12.
P- to n-Type Conductivity Inversion of Nitrogen-Incorporated SnO Deposited via Sputtering
机译:
通过溅射沉积的氮气掺入的SnO的p-至n型电导率反转
作者:
Youngrae Kim
;
Joseph Um
;
Sungdong Kim
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
13.
HfO_2/Al_2O_3/Ge Gate Stacks with Small Capacitance Equivalent Thickness and Low Interface State Density
机译:
HFO_2 / AL_2O_3 / GE门堆叠,具有小的电容等效厚度和低接口状态密度
作者:
Xue-Fei Li
;
Yan-Qiang Cao
;
Ai-Dong Li
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
14.
abrication of Cu(In,Ga)Se2 Thin Films from Nanoparticles by Non-Vacuum Mechanochemical Method and Rapid Thermal Annealing Process
机译:
通过非真空机械化学方法和快速热退火工艺从纳米颗粒制造Cu(In,Ga)Se2薄膜的制造
作者:
Ying Liu
;
Deyi Kong
;
Hui You
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
15.
Fabrication of Vertical-Structured GaN-Based Light-Emitting Diodes Using Auto-Split Laser Lift-Off Technique
机译:
使用自动分流激光剥离技术制造垂直结构的GaN基发光二极管
作者:
M. Chen
;
W. J. Liu
;
L. E. Cai
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
16.
Low Voltage Driven, Stable Solution-Processed Zinc-Tin-Oxide TFT with HfO_y and AlO_x Stack Gate Dielectric
机译:
低压驱动,稳定的溶液加工锌 - 锡氧化物TFT,具有HFO_Y和ALO_X堆叠栅极电介质
作者:
Youn Goo Kim
;
Christophe Avis
;
Jin Jang
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
17.
Ballistic Electron Emission Microscopy Study of Charge Transport Across an Au/Graphene-Oxide/Modified-Si Stack
机译:
弹性电子发射显微镜在Au /石墨烯氧化物/修改Si堆叠上的电荷输送
作者:
R. S. Kajen
;
N. Chandrasekhar
;
Ming Hua Ng
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
18.
The Effect of HfO_2 Overlayer on the Thermal Stability of SiGe Substrate
机译:
HFO_2叠层对SiGe衬底热稳定性的影响
作者:
Sh. Michaelson
;
R. Akhvlediani
;
I. Milshtein
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
19.
Improved Thermal Stability and Electrical Properties for Al-Sb-Te Based Phase-Change Memory
机译:
基于AL-SB-TE的相变存储器的热稳定性和电性能提高
作者:
Cheng Peng
;
Liangcai Wu
;
Feng Rao
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
20.
Effect of Temperature on Pad Surface Contact Area in Chemical Mechanical Planarization
机译:
温度对化学机械平面化垫表面接触面积的影响
作者:
Y. Jiao
;
Y. Zhuang
;
X. Liao
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
21.
Impact of Gate Misalignment in Triple-Gate MOSFETs Fabricated on SOI Substrate
机译:
SOI衬底制造的三栅MOSFET中栅极未对准的影响
作者:
K-I Na
;
S. Cristoloveanu
;
W. Xiong
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
22.
Interfacial Properties of ALD-Deposited Al_2O_3/p-Type Germanium MOS Structures: Influence of Oxidized Ge Interfacial Layer Dependent on Al_2O_3 Thickness
机译:
ALD沉积的AL_2O_3 / p型锗MOS结构的界面性质:氧化型GE界面层依赖于AL_2O_3厚度的影响
作者:
M. Botzakaki
;
A. Kerasidou
;
L. SygelIou
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
23.
Fabrication of Porous Carbon Spheres/Manganese Oxide Composite Electrodes for Electrochemical Capacitors
机译:
用于电化学电容器多孔碳球/锰氧化物复合电极的制造
作者:
Guozhi Wu
;
Xinying Guo
;
Jianqing Zhou
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
24.
Pore Sealing of Porous Ultralow-k Dielectrics by Self-Assembled Monolayers Combined with Atomic Layer Deposition
机译:
通过自组装单层与原子层沉积相结合多孔超级-K电介质的孔密封
作者:
S. Armini
;
J. Loyo Prado
;
J. Swerts
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
25.
Porous Graphite/Silicon Micro-Sphere Prepared by In-Situ Carbothermal Reduction and Spray Drying for Lithium Ion Batteries
机译:
多孔石墨/硅微球通过原位碳水再现和用于锂离子电池的喷雾干燥
作者:
Xuelin Yang
;
Pengchang Zhang
;
Changchuan Shi
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
26.
HfO_2/Al_2O_3/Ge Gate Stacks with Small Capacitance Equivalent Thickness and Low Interface State Density
机译:
HFO_2 / AL_2O_3 / GE门堆叠,具有小的电容等效厚度和低接口状态密度
作者:
Xue-Fei Li
;
Yan-Qiang Cao
;
Ai-Dong Li
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
27.
P- to n-Type Conductivity Inversion of Nitrogen-Incorporated SnO Deposited via Sputtering
机译:
通过溅射沉积的氮气掺入的SnO的p-至n型电导率反转
作者:
Youngrae Kim
;
Joseph Um
;
Sungdong Kim
期刊名称:
《ECS Solid State Letters》
|
2012年第2期
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