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【24h】渐进式掩模缺陷的工艺窗口影响,其检查和处置技术(通过/不通过标准)通过光刻检测器

【摘要】渐进式掩模缺陷问题是行业范围内的掩模可靠性问题。在这个问题的开始期间,当掩模上的缺陷刚刚形成并且仍然不很严重时,可以在生产中以相对较低的良率影响风险继续运行这样的问题掩模。但是,当缺陷接近更严重的状态时,需要决定是否将掩膜从生产中拉出以进行清洁(修理)。由于在使用昂贵的掩模进行DUV光刻的高端掩模上,这一问题日益严重,因此,为了使制造中的问题掩模在生产中保持尽可能长的时间,并仅在绝对必要时才将其停产,这符合晶圆厂的利益。即,当缺陷在这些掩模上达到如此严重的条件时,它将影响工艺窗口。在这项技术工作的过程中,已经进行了调查,以了解这种小的渐进缺陷对过程窗口的影响。可以看出,在最佳的聚焦曝光条件下,可能无法打印出一个小的生长缺陷,但仍会影响工艺窗口并使其显着缩小。借助高分辨率的直接掩模版检查,可以尽早发现这些缺陷,但晶圆厂仍在寻找在这些有缺陷的掩模上进行处理(通过/不通过的决定)的方法。但这不是一件容易的事,因为这些缺陷的影响不仅取决于它们的大小,还取决于它们的传播和MEEF。已经对光刻检测器进行了评估,以查看其是否可以预测此类渐进式掩模缺陷的严重性。

【作者】Jerry Huang;Lan-Hsin Peng;Chih-Wei Chu;Kaustuve Bhattacharyya;Ben Eynon;Farzin Mirzaagha;Tony Dibiase;Kong Son;Jackie Cheng;Ellison Chen;Den Wang;

【作者单位】ProMOS Technologies, Taiwan, R.O.C.;

【年(卷),期】2005(),

【年度】2005

【页码】P.599206.1-599206.8

【总页数】8

【原文格式】PDF

【正文语种】eng

【中图分类】TN305.7;

【关键词】掩模缺陷;检查;晶体生长;渐进式; MEEF;光刻;工艺窗口;

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