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Silicon front-end technology-materials processing and modelling
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1.
Tailoring of the nitrogen profile in thin gate oxides using substrate nitridation by nitric oxide
机译:
使用一氧化氮进行底物氮化来调整薄栅氧化物中的氮分布
作者:
A. Halimaoui
;
E. Henrisey
;
C. Hernandez
;
J. Martins
;
M. Paoli
;
M.Regache
;
L. Vallier
;
D. Bensahel
;
B. Blanchard
;
D. Rouchon
;
F. Martin
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
2.
Ultra shallow junction formation by b+/bf2+implantation at energy of 0.5 kev
机译:
在0.5 kev能量下通过b + / bf2 +注入形成超浅结
作者:
M. Kase
;
Y. Kikuchi
;
H. Niwa
;
T. Kimura
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
3.
The importance of pairing reactions for the modeling of defect-dopant interactions in silicon
机译:
配对反应对于硅中缺陷-掺杂剂相互作用建模的重要性
作者:
I. Bork
;
A. v. Schwerin
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
4.
Transient enhanced diffusion for ultra low energy boron, phosphorus, and arsenic implantation in silicon
机译:
瞬态增强扩散,用于硅中超低能硼,磷和砷的注入
作者:
Ning Yu
;
Amitabh Jain
;
Doug Mercer
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
5.
Properties of vacancies in silicon determined by out-diffusion of zinc from silicon
机译:
锌从硅中向外扩散确定的硅空位性质
作者:
A. Giese
;
H. Bracht
;
J.T. Walton
;
N.A. Stolwijk
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
6.
On the asymmetrical behavior of transient enhanced diffusion in pre-amorphised Si wafers
机译:
预非晶硅晶片中瞬态增强扩散的“不对称”行为
作者:
D. Alquier
;
N. E. B. Cowern
;
P. Pichler
;
C. Armand
;
A. Martinez
;
D. Mathiot
;
M. Omri
;
A. Claverie
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
7.
Surface science studies of NF_3 plasma and ion beam interactions with silicon
机译:
NF_3等离子体和离子束与硅相互作用的表面科学研究
作者:
T. W. Little
;
S. C. Briggs
;
F. S. Ohuchi
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
8.
Point-defect migration in crystalline Si: impurity content, surface and stress effects
机译:
晶体硅中的点缺陷迁移:杂质含量,表面和应力效应
作者:
S. Coffa
;
S. Libertino
;
A. La Magna
;
V. Privitera
;
G. Mannino
;
F. Priolo
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
9.
A quasi-2D model for reverse short channel effect
机译:
反向短通道效应的准二维模型
作者:
Huilong ZHU
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
10.
Determining the enthalpy of formation of a Si interstitial using quantitative tem and sims
机译:
使用定量tem和sims确定Si间隙形成的焓
作者:
S. Bharatan
;
Y.M. Haddara
;
M. E. Law
;
K. S. Jones
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
11.
Computer simulation of annealing after cluster ion implantation
机译:
团簇离子注入后退火的计算机模拟
作者:
Z.Insepov
;
T.Aoki
;
J.Matsuo
;
I.Yamada
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
12.
Crystalline structure around the single vacancy in silicon: formation volume and stress effects
机译:
硅中单个空位周围的晶体结构:形成量和应力效应
作者:
A. Antonelli
;
Efthimios Kaxiras
;
D. J. Chadi
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
13.
Defect tails in ge implanted si probed by slow positrons and ion channeling
机译:
慢正电子和离子通道探测锗注入硅中的缺陷尾巴
作者:
A P Knights
;
A Nejim
;
N P Barradas
;
R Gwilliam
;
P G Coleman
;
F Malik
;
H Kherandish
;
S Romani
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
14.
New tight-binding method for simulation of defect configurations, creation and diffusion mechanisms in solids: application to silicon
机译:
模拟固体中缺陷构型,产生和扩散机制的新紧密结合方法:在硅上的应用
作者:
Zokirkhon M. KHAKIMOV
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
15.
Moment-based Modeling of Extended defects for Simulation of TED: What Level of Complexity is Necessary?
机译:
基于矩的扩展缺陷建模以模拟TED:需要什么程度的复杂性?
作者:
Alp H. Gencer
;
Scott T. Dunham
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
16.
Impurity diffusion in SiGe alloys: strain and composition effects
机译:
SiGe合金中的杂质扩散:应变和成分效应
作者:
Arne Nylandsted Larsen
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
17.
Impact of silicon wafer material on dislocation generation in local oxidation
机译:
硅片材料对局部氧化中位错产生的影响
作者:
I.V. Peidous
;
R. Sundaresan
;
E. Quek
;
Y.K. Leung
;
M. Beh
会议名称:
《》
|
1998年
18.
Interdiffusion behavior of Si/Si_(1-x)Ge_x layers in inert and oxidizing ambients
机译:
Si / Si_(1-x)Ge_x层在惰性和氧化性环境中的互扩散行为
作者:
Michelle Griglione
;
Tim Anderson
;
Yaser Haddara
;
Mark Law
;
Kevin Jones
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
19.
High temperature oxide for nvm interpoly dielectric applications
机译:
用于NVM互介电介质应用的高温氧化物
作者:
J.A. Yater
;
B. Esho
;
W.M. Paulson
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
20.
Computer simulation of channeling profile analysis of implantation damage
机译:
植入损伤通道剖面分析的计算机模拟
作者:
Matthias Posselt
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
21.
Ultra shallow junction formation by cluster ion implantation
机译:
通过簇离子注入形成超浅结
作者:
Jiro Matsuo
;
Takaaki Aoki
;
Ken-ichi Goto
;
Toshihiro Sugii
;
Isao Yamada
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
22.
Ultra shallow junction formation by rta at high temperature for short heating cycle time
机译:
RTA在高温下形成超浅结,可缩短加热周期
作者:
S.Saito
;
S.Shishiguchi
;
A.Mineji
;
T.Matsuda
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
23.
Activation enthalpy of Sb diffusion in biaxially compressed SiGe layers
机译:
Sb扩散在双轴压缩SiGe层中的活化焓
作者:
A.Yu. Kuznetsov
;
J.Cardenas
;
B.G. Svensson
;
A. Nylandsted Larsen
;
J. Lundsgaard Hansen
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
24.
Formation of subthreshold defects in erbium implanted silicon
机译:
注入硅中亚阈值缺陷的形成
作者:
C.Flink
;
S.Mui
;
H.Gottschalk
;
J.Palm
;
E.R. Weber
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
25.
Electrical active defects in the band-gap induced by Ge-preamorphization of Si-substrates
机译:
Si衬底的Ge预非晶化引起的带隙中的电活性缺陷
作者:
F. Boussaid
;
F. Olivie
;
M. Benzohra
;
D. Alquier
;
A. Claverie
;
A. Martinez
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
26.
Effect of the end of range loop layer depth on the evolution of {311} defects
机译:
范围循环层深度结束对{311}缺陷演变的影响
作者:
R. Raman
;
M. E. Law
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
27.
Dopant loss origins of low energy implanted arsenic and antimony for ultra shallow junction formation
机译:
低能注入的砷和锑的掺杂物损失源于超浅结形成
作者:
Kentaro Shibahara
;
Hiroaki Furumoto
;
Kazuhiko Egusa
;
Meishoku Koh
;
Shin Yokoyama
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
28.
Atomistic modeling of point and extended defects in crystalline materials
机译:
晶体材料中点缺陷和扩展缺陷的原子建模
作者:
Martin Jaraiz
;
Lourdes Pelaz
;
Emiliano Rubio
;
Juan Barbolla
;
George H. Gilmer
;
David J. Eaglesham
;
Hans J. Gossmann
;
John M. Poate
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
29.
Boron ted in pre-amorphised si: role of the a/c interface
机译:
硼在预非晶硅中的作用:A / C接口的作用
作者:
D. Mathiot
;
C. Bonafos
;
M. Omri
;
D. Alquier
;
A. Martinez
;
A. Claverie
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
30.
In situ deep level transient spectroscopy of defect evolution in silicon following ion implantation at 80 K
机译:
80 K离子注入后硅中缺陷演变的原位深层瞬态光谱
作者:
C. R. Cho
;
R. A. Brown
;
O. Kononchuk
;
N. Yarykin
;
G. Rozgonyi
;
R. Zuhr
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
31.
Investigation of the Growth and Chemical Stability of Composite Metal Gates on Ultra-thin Gate Dielectrics
机译:
超薄栅介质上复合金属栅的生长和化学稳定性研究
作者:
B. Claflin
;
M. Binger
;
G. Lucovsky
;
H. -Y. Yang
会议名称:
《Silicon front-end technology-materials processing and modelling》
|
1998年
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