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IEEE International Semiconductor Laser Conference
IEEE International Semiconductor Laser Conference
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1.
High-power and high-speed performance of gain-coupled 1.3 /spl mu/m strained-layer MQW DFB lasers
机译:
增益耦合1.3 / SPL MU / M应变层MQW DFB激光器的高功率和高速性能
作者:
Lu H.
;
Blaauw C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
2.
Generation of high repetition frequency subpicosecond pulses at 1.535 /spl mu/m by passive mode-locking of InGaAsP/InP laser diode with saturable absorber regions created by ion implantation
机译:
通过InGaASP / INP激光二极管的无源模式锁定在1.535 / SPL MU / M处产生高重复频率副脉冲脉冲,其具有通过离子注入产生的可饱和吸收区域
作者:
Deryagin A.G.
;
Kuksenkov D.V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
3.
Author Index
机译:
作者索引
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
4.
Multiple-quantum-well broad-area tapered amplifier with a monolithically integrated output focusing lens and 1 W CW operation at 0.98 /spl mu/m wavelength
机译:
多量子阱宽面积锥形放大器,具有单片集成的输出聚焦镜头和0.98 / SPL MU / M波长的1 W CW操作
作者:
Liou K.-Y.
;
Young M.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
5.
Complete single mode wavelength coverage over 40 nm with a super structure grating DBR laser
机译:
使用超级结构光栅DBR激光器完成超过40nm的单模波长覆盖率
作者:
Oberg M.
;
Rigole P.-J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
6.
Novel high performance strained layer MQW monolithically integrated DFB laser-electroabsorption modulator using one identical single active layer
机译:
新型高性能应变层MQW单片集成DFB激光 - 电吸收器使用一个相同的单个有源层
作者:
Ramdane A.
;
Ougazzaden A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
7.
Strain-compensated multiple quantum well 630-nm-band AlGaInP laser diodes
机译:
应变补偿多量子阱630-NM波段AlgainP激光二极管
作者:
Hiroyama R.
;
Bessho Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
8.
Ultrafast gain and refractive index dynamics of semiconductor amplifiers measured by four-wave mixing
机译:
通过四波混合测量的半导体放大器超快增益和折射率动态
作者:
DOttavi A.
;
Iannone E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
9.
Improving pulses from 2-contact self-pulsating DFB semiconductor lasers
机译:
改进2触点自脉冲DFB半导体激光器的脉冲
作者:
Lowery A.J.
;
Gurney P.C.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
10.
The influence of valence-band well depth on optical gain uniformity in 1.3-/spl mu/m InP-based strained-layer multiple-quantum-well lasers
机译:
基于1.3- / SPRMU / M INP的应变层多量子阱激光器的价带孔深度对光学增益均匀性的影响
作者:
Seki S.
;
Yokoyama K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
11.
Digital signal regeneration with side-injection-light-controlled bistable laser diode
机译:
数字信号再生具有侧喷光控制的双稳态激光二极管
作者:
Nonaka K.
;
Noguchi Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
12.
Design, characteristics and reliability of a large area surface emitting laser (SEL) for multimode data link applications
机译:
用于多模数据链路应用的大面积辐射激光器(SEL)的设计,特性和可靠性
作者:
Tan M.R.T.
;
Hahn K.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
13.
Packaged hybrid soliton pulse source results and 270 terabit.km/sec soliton transmission using sliding-frequency guiding filters
机译:
使用滑动频率引导滤光片包装混合孤子脉冲源结果和270TABIT.km/sec孤子传输
作者:
Morton P.A.
;
Mizrahi V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
14.
Electronically tunable, 1 W CW, diffraction-limited monolithic flared amplifier-master oscillator power amplifier (MFA-MOPA)
机译:
电子调谐,1 W CW,衍射限制单片辐射放大器 - 主振荡器功率放大器(MFA-MOPA)
作者:
Osinski J.S.
;
Dzurko K.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
15.
Low-threshold strained-layer quantum-well 630-nm AlGaInP LDs and relative intensity of strain-induced polarization mode
机译:
低阈值应变层量子阱630-nm AlgainP LD和应变诱导偏振模式的相对强度
作者:
Tanaka T.
;
Yanagisawa H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
16.
Temperature and output power dependence of carrier overflow and internal loss in InGaAs/InGaAsP multiple quantum well lasers
机译:
载波溢出的温度和输出功率依赖性indaas / Ingaasp多量子阱激光器的内部损失
作者:
Tessler N.
;
Mikhaelashvili V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
17.
Tailored DFB laser properties by individually chirped gratings using bent waveguides
机译:
使用弯曲波导的单独啁啾光栅量身定制的DFB激光特性
作者:
Hillmer H.
;
Zhu H.-L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
18.
Four-wave mixing in semiconductor optical amplifiers at THz detuning frequencies: experiment and theory
机译:
在THz静态频率下半导体光放大器中的四波混合:实验与理论
作者:
Mork J.
;
Uskov A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
19.
Polarization induced enhancement of relative intensity noise and modulation distortion in vertical cavity surface emitting lasers
机译:
偏振诱导垂直腔表面发射激光器中相对强度噪声和调制失真的增强
作者:
Wu M.S.
;
Buckman L.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
20.
Complex-coupled /spl lambda//4-shifted DFB lasers with a flat FM response from 10 kHz to 17 GHz
机译:
复合耦合/ SPLλ// 4移位的DFB激光器,具有10 kHz至17 GHz的FM响应
作者:
Okai M.
;
Suzuki M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
21.
Wide wavelength tuning with narrow spectral linewidth in thermally tunable super-structure-grating DBR lasers
机译:
热可调超结构光栅DBR激光器中具有窄光谱线宽的宽波长调谐
作者:
Ishii H.
;
Kano F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
22.
High temperature and high power operation of dual strained layer QW visible laser diodes
机译:
双应变层QW可见激光二极管的高温高功率操作
作者:
Valster A.
;
van der Poel C.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
23.
1.5 /spl mu/m InGaAsP/InP multi-gain-levered-MQW-DFB-LD with high efficiency and large bandwidth FM response
机译:
1.5 / SPL MU / M INGAASP / INP多增益杠杆-MQW-DFB-LD,具有高效率和大带宽FM响应
作者:
Jong-In Shim
;
Yamazaki H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
24.
High T/sub 0/ 1.3 /spl mu/m InGaAs strained single quantum well laser with InGaP wide band-gap clad layers
机译:
高T / SUB 0 / 1.3 / SPL MU / M INGAAS应变单量子孔激光,带有INGAP宽带间隙包层层
作者:
Kurakake H.
;
Uchida T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
25.
Improved performance of semiconductor ring lasers with multi-mode interference output couplers
机译:
具有多模干扰输出耦合器的半导体环形激光器的性能提高
作者:
Krauss T.
;
Laybourn P.J.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
26.
Peculiarities of operation characteristics of high-power InGaAsP/GaAs 0.8 /spl mu/m laser diodes
机译:
高功率IngaASP / GAAs 0.8 / SPL MU / M激光二极管的操作特性的特点
作者:
Razeghi M.
;
Diaz J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
27.
Reduction of size fluctuation effect in GaInAs/GaInAsP quantum-box lasers using tensile-strained active region
机译:
使用拉伸应变的活性区域降低GAINAS / GAISASP量子箱激光器的尺寸波动效应
作者:
Hirayama H.
;
Asada M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
28.
2.2 W cw diffraction-limited monolithically integrated master oscillator power amplifier at 854 nm
机译:
2.2 W CW衍射限制整体集成主振荡器功率放大器,854 nm
作者:
OBrien S.
;
Lang R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
29.
High-power, coherent phased array of monolithic flared amplifier-master oscillator power amplifiers
机译:
高功率,连贯分阶段的单片辐射放大器 - 主振荡器功率放大器
作者:
Osinski J.S.
;
Mehuys D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
30.
High power quantum-well gain-coupled (GC) DFB lasers at 1.3 /spl mu/m and 1.55 /spl mu/m
机译:
高功率量子阱增益耦合(GC)DFB激光器为1.3 / SPL MU / M和1.55 / SPL MU / M.
作者:
Borchert B.
;
Rieger J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
31.
Surface emitting 1.3 /spl mu/m SL-QW InGaAsP/InP ridge-waveguide laser diodes with monolithic integrated microlens
机译:
表面发射1.3 / SPL MU / M SL-QW InGaASP / InP Ridge-WavaGuide激光二极管,单片集成微透镜
作者:
Stegmuller B.
;
Westermeier H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
32.
Low threshold current 780 nm InAlGaAs/AlGaAs-strained QW lasers and the integration with a passive, non-absorbing tapered mode-size transformer
机译:
低阈值电流780nm Inalgaas / Algaas紧张的QW激光器和与无源,非吸收锥形模式尺寸变压器的集成
作者:
Vermeire G.
;
Vermaerke F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
33.
Extremely small active stripe laser diodes (EXSAS-LDs) for 17-channel low threshold array
机译:
极小的活性条纹激光二极管(EXSAS-LDS)为17通道低阈值阵列
作者:
Kitamura S.
;
Sasaki T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
34.
Improved temperature characteristics of a vertical cavity surface-emitting laser with a broad gain bandwidth
机译:
具有广泛增益带宽的垂直腔表面发射激光器的温度特性
作者:
Kajita M.
;
Kawakami T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
35.
Anomalous dynamic wavelength chirp in gain-switched short optical pulses from absorptive-grating gain-coupled DFB lasers
机译:
来自吸收光栅增益耦合DFB激光器的增益切换短光脉冲中的异常动态波长啁啾
作者:
Sudoh T.K.
;
Nakano Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
36.
Arrays of red VCSELs with partial top dielectric stack DBRs
机译:
与部分顶部电介质堆栈DBR的红色VCSEL阵列
作者:
Lott J.A.
;
Schneider R.P. Nr.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
37.
Uniform hole injection resulting in low operating current and stable high temperature cw operation in 630 nm band AlGaInP multi-quantum well laser
机译:
均匀的空穴注入导致630 nm频段allainp多量子孔激光器的低工作电流和稳定的高温CW操作
作者:
Hotta H.
;
Miyasaka F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
38.
132 W monolithic two-dimensional surface emitting laser arrays
机译:
132 W单片二维表面发射激光阵列
作者:
Nam D.W.
;
Sanders S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
39.
A strained-layer InGaAs-GaAs buried heterostructure circular ring laser with integrated Y-coupled passive waveguide by selective-area metalorganic chemical vapor deposition
机译:
通过选择性区域金属化学气相沉积,具有集成Y耦合无源波导的紧张层InGaAs-GaAs埋入异质结构圆环激光器
作者:
Cockerill T.M.
;
Osowski M.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
40.
Real index guided AlGaInP visible laser with high bandgap energy AlInP current blocking layer grown by HCl-assisted metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
真正索引引导藻类可见激光,具有高带隙能量alinp电流阻断层,通过HCl辅助金属蒸汽相外延生长
作者:
Kobayashi R.
;
Hotta H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
41.
1.55 /spl mu/m strained GaInAs/AlGaInAs MQW lasers with a multi-quantum barrier
机译:
1.55 / SPL MU / M紧张的GAINAS / ALALAINAS MQW激光器,具有多量子屏障
作者:
Shimizu H.
;
Fukushima T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
42.
The S-bent waveguide distributed feedback laser
机译:
S弯曲波导分布式反馈激光器
作者:
Salzman J.
;
Olesen H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
43.
Multi-longitudinal-mode two-dimensional analysis of self-sustained pulsating laser diodes
机译:
自持续脉动激光二极管的多纵向模式二维分析
作者:
Yuri M.
;
Takayama T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
44.
Anomalously slow carrier-phonon interaction in InGaAs/InGaAsP multi-quantum-well investigated by time-development of carrier temperature
机译:
在载体温度的时间开发中,在Ingaas / IngaASP多量子孔中的异常慢载体 - 声子相互作用
作者:
Nido M.
;
Suzuki A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
45.
Influence of gain saturation on the tuning range and tuning rate of three-contact DFB lasers and amplifier-filters: modelling and experiments
机译:
增益饱和对三触点DFB激光器和放大器 - 滤波器的调谐范围和调谐速率的影响:建模和实验
作者:
Nakajima H.
;
Charil J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
46.
Temperature dependent efficiency and modulation characteristics of Al-free 980 nm laser diodes
机译:
温度依赖性效率和US-FATE 980nm激光二极管的调节特性
作者:
Nabiev R.F.
;
Vail E.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
47.
InGaAs/InGaAsP strained SQW LD grown on In/sub 0.05/Ga/sub 0.95/As ternary substrate
机译:
INGAAS / INGAASP应变SQW LD在/ SUB 0.05 / GA / SUB 0.95 /作为三元基质中
作者:
Shoji H.
;
Uchida T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
48.
Sub-micron thermography of laser diodes by charging dielectric coatings with an electron beam
机译:
通过用电子束充电介电涂层的激光二极管亚微米热成像
作者:
Jakubowicz A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
49.
Tunable 2.7-3.7 /spl mu/m InAsSb(P)/InAsSbP low threshold diode lasers
机译:
可调2.7-3.7 / SPL MU / M INASSB(P)/ INASSBP低阈值二极管激光器
作者:
Yakovlev Yu.P.
;
Baranov A.N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
50.
The effect of dynamic spatial hole burning on the second and third order intermodulation distortion in DFB lasers
机译:
动态空间孔燃烧在DFB激光器中的第二和三阶互调失真上的影响
作者:
Kito M.
;
Sato H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
51.
Strained layer single quantum well InGaAs lasers with room temperature CW threshold current 165 /spl mu/A
机译:
应变层单量子井Ingaas激光器,具有室温CW阈值电流165 / SPL MU / A
作者:
Chen T.R.
;
Zhao B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
52.
Clamped gain travelling wave semiconductor optical amplifier for wavelength division multiplexing applications
机译:
用于波分复用应用的钳位增益波半导体光放大器
作者:
Doussiere P.
;
Jourdan A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
53.
Blue-green laser diodes
机译:
蓝绿色激光二极管
作者:
Ishibashi A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
54.
Submilliampere threshold buried-heterostructure InGaAs/GaAs single quantum well lasers grown by selective-area epitaxy
机译:
Subsilliampere阈值掩埋 - 异性结构Ingaas / GaAs单量子井激光通过选择性区域外延生长
作者:
Lammert R.M.
;
Cockerill T.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
55.
Above-threshold behavior of high-power, single-mode ARROW-type diode lasers
机译:
高功率,单模箭头型二极管激光器的上方阈值行为
作者:
Mawst L.J.
;
Botez D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
56.
Low voltage carrier injection in ZnSe-based blue-green laser diodes on p-type GaAs substrates with InGaAlP band offset reduction layers
机译:
基于ZnSE的蓝绿色激光二极管的低压载波注射,具有Ingaalp带偏移层的P型GaAs基板上
作者:
Ishikawa M.
;
Nishikawa Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
57.
A fast switching N-frequency laser integrated with an electroabsorption modulator
机译:
一种快速切换N频激光,与电吸收调制器集成
作者:
Koren U.
;
Glance B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
58.
Monolithic integration of a laser diode with a polymer-based waveguide for photonic integrated circuits
机译:
激光二极管与用于光子集成电路的聚合物的波导的单片集成
作者:
Bouadma N.
;
Liang J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
59.
Progress in high power semiconductor lasers
机译:
高功率半导体激光器的进展
作者:
Welch D.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
60.
Narrow beam tapered thickness waveguide integrated BH MQW laser operation at high temperatures
机译:
窄梁锥形厚度波导集成了高温下的BH MQW激光操作
作者:
Kobayashi H.
;
Soda H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
61.
Quantum cascade laser: a unipolar intersubband semiconductor laser
机译:
量子级联激光器:单极性跨多体半导体激光器
作者:
Capasso F.
;
Faist J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
62.
Optimization of gain and mode field overlap for efficient proton implanted broad area vertical-cavity laser diodes
机译:
高效质子植入宽面积垂直腔激光二极管优化增益和模式场重叠的优化
作者:
Moller B.
;
Zeeb E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
63.
Optical feedback phenomena in semiconductor lasers
机译:
半导体激光器中的光学反馈现象
作者:
Petermann K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
64.
High repetition rate by multiple colliding pulse mode-locked operation of a semiconductor laser
机译:
通过半导体激光器的多碰撞脉冲模式锁定操作高重复率
作者:
Martins-Filho J.F.
;
Avrutin E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
65.
High-power high-temperature operation of 0.98-/spl mu/m S-SQW lasers with InGaAsP (Eg: 1.61 eV) barriers
机译:
高功率高温操作为0.98 / SPL MU / M S-SQW激光器,具有InGaASP(例如:1.61eV)屏障
作者:
Sagawa M.
;
Toyonaka T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
66.
InGaAs/InGaAsP multiple quantum well laser with an integrated tapered beam expander waveguide
机译:
Ingaas / IngaASP多量子孔激光带集成锥形束膨胀机波导
作者:
Ben-Michael R.
;
Koren U.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
67.
Gain-dependent polarization properties of vertical-cavity lasers
机译:
垂直腔激光器的增益偏振特性
作者:
Choquette K.D.
;
Lear K.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
68.
Low-chirp integrated EA-modulator/DFB laser grown by selective-area MOVPE
机译:
低啁啾集成EA-调制器/ DFB激光由选择性区域Movpe种植
作者:
Johnson J.E.
;
Tanbun-Ek T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
69.
Novel technique for fabricating nonabsorbing mirror laser
机译:
非吸收镜激光制备新技术
作者:
Gabgyu Lim
;
Jaeho Lee
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
70.
0.78-0.98 /spl mu/m ridge-waveguide-lasers buried with AlGaAs confinement layer selectively grown by chloride-assisted MOCVD
机译:
0.78-0.98 / SPL MU / M脊布 - 波导 - 激光器埋在氯化物辅助MOCVD选择性地生长的Algaas限制层
作者:
Shima A.
;
Takemoto A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
71.
New insight into the temperature sensitivity of the threshold current of long wavelength semiconductor lasers
机译:
新的洞察长波长半导体激光器的阈值电流的温度敏感性
作者:
Evans J.D.
;
Simmons J.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
72.
Limitations to controlling spontaneous emission in microcavities with distributed mirrors
机译:
利用分布式镜控制微腔内自发发射的限制
作者:
Ram R.J.
;
Babic D.I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
73.
Aluminum-free InGaAs/GaAs/InGaP strained-quantum-well lasers with InGaAsP transition layers
机译:
无铝的Ingaas / GaAs / Ingap紧张 - 孔井激光器,具有InGaASP过渡层
作者:
Hung-Pin Shiao
;
Wei Lin
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
74.
1.3 /spl mu/m strained MQW-DFB lasers with extremely-low-intermodulation distortion for 1.9 GHz analog transmission
机译:
1.3 / SPL MU / M紧张的MQW-DFB激光器,具有极低互调失真的1.9 GHz模拟传输
作者:
Watanabe H.
;
Aoyagi T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
75.
High efficiency visible single mode laser diodes
机译:
高效率可见单模激光二极管
作者:
Geels R.S.
;
Plano W.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
76.
High-power, mode-locked external-cavity tunable semiconductor laser
机译:
高功率,模式锁定外腔可调半导体激光器
作者:
Goldberg L.
;
Mehuys D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
77.
InAsSb/AlAsSb double-heterostructure and InAsSb/InAlAs quantum-well diode lasers emitting at /spl sim/4 /spl mu/m
机译:
INASSB / ALASSB双异质结构和INASSB / INALAS量子阱二极管激光器AT / SPL SIM / 4 / SPL MU / M.
作者:
Choi H.K.
;
Turner G.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
78.
Vertical-cavity surface-emitting-lasers with 21 efficiency by metalorganic vapor phase epitaxy
机译:
垂直腔表面发光激光器,由金属蒸汽相外延效率为21%
作者:
Lear K.L.
;
Schneider R.P. Jr.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
79.
800 mW peak power self-sustained pulsation GaAlAs laser diodes
机译:
800 MW峰值电力自持续脉动Gaalas激光二极管
作者:
Takayama T.
;
Imafuji O.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
80.
Ultralow threshold lasers. How low is low enough?
机译:
超级阈值激光器。足够低有多低?
作者:
Cutrer D.M.
;
Lau K.Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
81.
Ultra fast electro-optical distributed Bragg reflector laser for optical switching
机译:
超快速电光分布式布拉格反射器激光器用于光学切换
作者:
Delorme F.
;
Rose B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
82.
Unambiguous determination of quantum capture, carrier diffusion and intrinsic effects in quantum well laser dynamics using wavelength selective optical modulation
机译:
使用波长选择光调制,量子捕获的量子捕获,载波扩散和内在效应的明确确定量子孔激光动力学
作者:
Vassilovski D.
;
Wu T.-C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
83.
6 GHz modulation of fiber coupled VCSEL arrays
机译:
6 GHz调制光纤耦合VCSEL阵列
作者:
Zeeb E.
;
Moller B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
84.
GaInP-crossed-coupled-cavity-laser (XCCL) for investigation of strain effects and GaInP superlattice ordering
机译:
增益交叉耦合腔激光(XCCL),用于调查应变效应和GAINP超晶格排序
作者:
Barth F.
;
Forstmann G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
85.
Intra-cavity contacted vertical cavity laser arrays optimized for low current, high speed interconnect applications
机译:
腔内接触垂直腔激光阵列,针对低电流优化,高速互连应用
作者:
Scott J.W.
;
Thibeault B.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
86.
Ultrafast dynamics in waveguide saturable absorbers
机译:
波导可饱和吸收器中的超快动态
作者:
Uskov A.V.
;
Karin J.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
87.
Study of strained multiquantum well AlGaInP visible lasers using GaInAsP well layers
机译:
使用GAINASP阱层研究应变多义孔井ALGainP可见激光器
作者:
Furuya A.
;
Anayama C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
88.
New determination of the band structure of disordered AlGaInP and its influence on visible laser characteristics
机译:
无序藻类频带结构的新测定及其对可见激光特性的影响
作者:
Phillips A.F.
;
Meney A.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
89.
Room temperature CW operation of GaInP/AlGaInP multiple quantum wire visible lasers (MQWR-LD)
机译:
GAINP / ALALP的室温CW操作多量子丝可见激光器(MQWR-LD)
作者:
Yoshida J.
;
Kishino K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
90.
High-temperature modulation dynamics of 1.3 /spl mu/m Al/sub x/Ga/sub y/In/sub 1-x-y/As/InP compressive-strained multiple-quantum-well lasers
机译:
1.3 / SPL MU / M AL / SUB X / GA / SUB Y / IN / SUB 1-X-Y / AS / INP压缩式调节多量子孔激光器的高温调制动力学
作者:
Zah C.E.
;
Wang M.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
91.
High speed all-optical functional elements using injection locked semiconductor lasers
机译:
使用喷射锁定半导体激光器的高速全光功能元件
作者:
Horer J.
;
Weich K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
92.
A multiwavelength waveguide grating router laser
机译:
多波长波导光栅路由器激光器
作者:
Zimgibl M.
;
Glance B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
93.
Growth direction dependence of polarization properties in surface-emitting lasers with strained quantum wells
机译:
具有应变量子阱的表面发射激光器偏振性能的生长方向依赖性
作者:
Ohtoshi T.
;
Kuroda T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
94.
Threshold current and modulation dynamics in quantum dot lasers
机译:
量子点激光器中的阈值电流和调制动态
作者:
Nakayama H.
;
Arakawa Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
95.
12 GHz to 64 GHz continuous frequency tuning in selfpulsating 1.55 /spl mu/m quantum well DFB lasers
机译:
12 GHz至64 GHz的连续频率调整在自我乳房1.55 / SPL MU / M量子井DFB激光器
作者:
Feiste U.
;
Mohrle M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
96.
Optically-pumped vertical-cavity surface-emitting lasers on 110 GaAs substrates with stable polarization characteristics
机译:
具有稳定偏振特性的光学泵浦垂直腔表面发射激光器在110 GaAs基板上
作者:
Sun D.
;
Towe E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
97.
Nonlinear chirp compensation in high-power (100 W) broad spectrum (/spl sim/20 nm) pulses from mode-locked AlGaAs lasers
机译:
从模式锁定的Algaas激光器的高功率(<100 W)广谱(/ SPL SIM / 20nm)脉冲中的非线性啁啾补偿
作者:
Azouz A.
;
Stelmakh N.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
98.
Multi quantum well 1.55 /spl mu/m DFB lasers with low threshold current, high resonance frequency and bandwidth at low current injection
机译:
多量子阱1.55 / SPL MU / M DFB激光器,具有低阈值电流,高谐振频率和带宽低电流注入
作者:
Kjebon O.
;
Ohlander U.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
99.
Study of gain in determining T/sub 0/ of 1.3 /spl mu/m semiconductor lasers
机译:
在确定T / SUP 0 / of 1.3 / SPL MU / M半导体激光器时的增益研究
作者:
Ackerman D.A.
;
Morton P.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
100.
First demonstration of extremely low-threshold AlGaAs/GaAs quantum wire-like lasers grown on V-grooved GaAs/Si substrates
机译:
在V沟槽GaAs / Si基板上生长的极低阈值藻类/ GaAs量子线状激光器的首先演示
作者:
Hasegawa Y.
;
Egawa T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《IEEE International Semiconductor Laser Conference》
|
1994年
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