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Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium
Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium
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1.
A single-chip K-band receiver
机译:
单芯片k波段接收器
作者:
Yang H.
;
Angel K.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
2.
A microwave 2DEG-CCD for high speed signal acquisition
机译:
用于高速信号采集的微波2DEG-CCD
作者:
LaRue R.A.
;
Colbeth R.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
3.
A fast-settling GaAs enhanced frequency synthesizer
机译:
快速沉降的GaAs增强频率合成器
作者:
Naber J.F.
;
Singh H.P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
4.
Monolithic integration of GaAs LED array/Si CMOS logic
机译:
GaAs LED阵列/ SI CMOS逻辑的单片集成
作者:
Yang J.Y.
;
Taddiken A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
5.
Modeling of self-heating in GaAs/AlGaAs HBTs for accurate circuit and device analysis
机译:
GaAs / Algaas HBT中自加热建模,用于精确电路和设备分析
作者:
Baureis P.
;
Seitzer D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
6.
An ultra broadband DC-12 GHz 4-bit GaAs monolithic digital attenuator
机译:
超宽带DC-12 GHz 4位GAAS单片数字衰减器
作者:
McGrath F.J.
;
Pratt R.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
7.
High speed 8:1 multiplexer and 1:8 demultiplexer ICs using GaAs DCFL circuit
机译:
高速8:1多路复用器和1:8使用GaAs DCFL电路的多路分解器IC
作者:
Tanaka K.
;
Shikata M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
8.
Dielectric film stress influences on GaAs MESFET gate breakdown
机译:
GaAs Mesfeet栅极击穿的介电膜应力影响
作者:
Odekirk B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
9.
Device testing for the development of an HBT IC process
机译:
设备测试开发HBT IC过程
作者:
Diamond S.
;
Prasad S.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
10.
A 500 MHz phase generator for synthetic aperture radar waveform synthesizers
机译:
用于合成孔径雷达波形合成器的500 MHz相发生器
作者:
Remund B.L.
;
Srivatsa C.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
11.
A 15-GHz AlGaAs/GaAs HBT limiting amplifier with low phase deviation
机译:
具有低相位偏差的15GHz AlgaAs / GaAs HBT限制放大器
作者:
Nakamura M.
;
Imai Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
12.
Predicting operating temperatures for GaAs ICs
机译:
预测GaAs IC的操作温度
作者:
Smith D.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
13.
Diode-HBT-logic circuits monolithically integrable with ECL/CML circuits
机译:
二极管-HBT逻辑电路与ECL / CML电路单一的整体上集成
作者:
Wang K.C.
;
Beccue S.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
14.
A 3.0 watt high efficiency C-band power MMIC
机译:
3.0瓦高效C波段电源MMIC
作者:
Gat M.
;
Day D.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
15.
A 27 Gb/s AlGaAs/GaAs HBT 4:1 multiplexer IC
机译:
27 GB / S Algaas / GaAs HBT 4:1多路复用器IC
作者:
Runge K.
;
Daniel D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
16.
Monolithic integration of 5 Gbps optical receiver block for short distance communication
机译:
短距离通信5 Gbps光接收器块的单片集成
作者:
Takano C.
;
Tanaka K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
17.
0.2 mu m gate pseudomorphic inverted HEMT for high speed digital ICs
机译:
0.2μm门Pseudomorphic倒置HEMT为高速数字IC
作者:
Tsuji H.
;
Fujishiro H.I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
18.
CAD for GaAs IC manufacture-ability-thirteen issues in FET physics
机译:
GAAS IC制造能力的CAD- FET物理中的十三个问题
作者:
Ladbrooke P.H.
;
Hill A.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
19.
A monolithic Ka-band transmitter using 0.25 mu m GaAs MESFET technology
机译:
使用0.25 mu M Gaas Mesfet技术的单片KA波段发射器
作者:
Wang H.
;
Aust M.V.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
20.
A high-performance GaAs pin electronics chip for high-speed general purpose ATE
机译:
高速通用ATE的高性能GAAS PIN电子芯片
作者:
Taylor S.S.
;
Nguyen C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
21.
Low current GaAs MMIC family with a miniaturized band-stop filter for Ku-band broadcast satellite applications
机译:
低电流GaAs MMIC系列,具有用于KU波段广播卫星应用的小型化带停止滤波器
作者:
Yoshimasu T.
;
Sakuno K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
22.
Manufacturing digital ICs with GaAs-the push for 100 yield
机译:
使用GaAs制造数字IC - 推动100%收益率
作者:
Wilson M.R.
;
Imboden C.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
23.
Heterostructure MESFET devices for VLSI applications
机译:
VLSI应用的异质结构MESFET设备
作者:
Elliott K.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
24.
Modeling intermodulation distortion in GaAs MESFETs using pulsed I-V characteristics
机译:
使用脉冲I-V特性建模GaAs Mesfet中的互调失真
作者:
Struble W.
;
Chu S.L.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
25.
A 45 GHz AlGaAs/GaAs HBT IC technology
机译:
45 GHz Algaas / GaAs HBT IC技术
作者:
Prasad S.J.
;
Vetanen B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
26.
Yield determination and design optimization of GaAs MESFETs using a physical simulator
机译:
使用物理模拟器的GaAs Mesfet的收益率测定和设计优化
作者:
Bilbro G.L.
;
Stoneking D.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
27.
DC-20 GHz MMIC multi-bit digital attenuators with on-chip TTL control
机译:
具有片上TTL控制的DC-20 GHz MMIC多位数字衰减器
作者:
Khabbaz B.
;
Pospishil A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
28.
MESFET MMIC Ka-band transmitter performance for high volume system applications
机译:
MESFET MMIC KA带发射器性能用于高批量系统应用
作者:
Mondal J.
;
Becker R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
29.
Silicon VLSI technology-today and tomorrow
机译:
Silicon VLSI技术 - 今天和明天
作者:
Ning T.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
30.
Pseudomorphic 2DEG FET ICs for ultra high-speed optical communication systems with an external optical modulator
机译:
具有外部光学调制器的超高速光通信系统的假形2DEG FET IC
作者:
Suzuki Y.
;
Suzaki T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
31.
A digital ASIC implementation of a video filter for synthetic aperture radar
机译:
合成孔径雷达的视频滤波器的数字ASIC实现
作者:
Remund B.L.
;
Chow J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
32.
Reliability of state-of-the-art GaAs pseudomorphic low-noise HEMTs
机译:
最先进的GaAs假噪声垫的可靠性
作者:
Hu W.W.
;
Chao P.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
33.
Experimental evidence of Ti/Pt/Au-GaAs interaction obtained by means of TEM technique
机译:
通过TEM技术获得的Ti / Pt / Au-GaAs相互作用的实验证据
作者:
Magistrali F.
;
Sala D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
34.
High-speed, low-voltage complementary heterostructure FET circuit technology
机译:
高速低压互补异质结构FET电路技术
作者:
Kiehl R.A.
;
Yates J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
35.
A 1 Gb/s 8*8 self-routing switch LSI for broadband ISDN
机译:
1 GB / s 8 * 8用于宽带ISDN的自由线开关LSI
作者:
Seki S.
;
Yamada H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
36.
A 23.6 GHz sub-1/2- mu m E/D MODFET divide-by-32/64 static prescaler
机译:
A 23.6 GHz SUB-1/2-MU M E / D MODFET划分逐32/44静态预分频器
作者:
Rohdin H.
;
Straznicky J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
37.
Can digital GaAs be used in a space environment? A look at single event upset in GaAs
机译:
数字GaAs可以在空间环境中使用吗?看看Gaas的单一事件
作者:
Weatherford T.R.
;
Campbell A.B.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
38.
K-band frequency up-converters using reduced-size couplers and dividers
机译:
k波段频率上转换器使用旧耦合器和分隔符
作者:
Hirota T.
;
Muraguchi M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
39.
Novel 10 GHz T-FF and D-FF ICs using GaAs MESFET source-input circuits
机译:
使用GaAs Mesfeet源输入电路的新型10 GHz T-FF和D-FF IC
作者:
Yoshihara K.
;
Umeda T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
40.
HBT application prospects in the US: where and when?
机译:
HBT应用前景:在哪里和时间?
作者:
Asbeck P.M.
;
Chang M.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
41.
A compact 3W X-band GaAs MMIC amplifier based on a novel multi-push-pull circuit concept
机译:
基于新型多推拉电路概念的紧凑型3W X波段GaAs MMIC放大器
作者:
Henry H.G.
;
Freitag R.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
42.
A cost effective true European DBS low noise converter
机译:
一种成本效益的真正欧洲DBS低噪音转换器
作者:
Caux C.
;
Gamand P.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
43.
GaAs MMIC wafer level mapping for material and process diagnostics
机译:
GaAs MMIC晶圆级别用于材料和过程诊断
作者:
Kanber H.
;
Wang D.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
44.
A novel broadband bidirectional matrix amplifier
机译:
一种新型宽带双向矩阵放大器
作者:
Chu S.L.G.
;
Schindler M.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
45.
A GaAs non-volatile memory
机译:
GaAs非易失性记忆
作者:
Harrington D.L.
;
Gee W.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
46.
13th Annual GaAs IC Symposium Technical Digest 1991 (Cat. No.91CH3059-3)
机译:
第13届年度GaAs IC研讨会技术摘要1991(猫。No.91CH3059-3)
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
47.
Logic circuits using resonant-tunneling hot electron transistors (RHETs)
机译:
使用谐振隧道热电子晶体管(RHET)的逻辑电路
作者:
Takatsu M.
;
Imamura K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
48.
The fabrication process of AlGaAs/GaAs HBTs with low base resistance and low collector capacitance for 10 Gb/s IC chip sets
机译:
具有低基电阻和低集电极电容的AlGaAs / GaAs HBT的制造过程,用于10 GB / S IC芯片组
作者:
Masuda H.
;
Mochizuki K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
49.
U-band 200 mW pseudomorphic InGaAs power HEMT
机译:
U-BAND 200 MW Pseudomorphic Ingaas Power HEMT
作者:
Arai S.
;
Kojima H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
50.
Thermal simulation and design of a GaAs HBT sample and hold circuit
机译:
GaAs HBT样品和保持电路的热仿真与设计
作者:
Poulton K.
;
Knudsen K.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
51.
New pseudomorphic N/sup -//N/sup +/ GaAs/InGaAs/GaAs power HEMT with high breakdown voltages
机译:
新的伪形N / SUP - // N / SUP + / GAAS / INGAAS / GAAS功率HEMT,具有高击穿电压
作者:
Fujii T.
;
Sakamoto S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
52.
MMIC circuit optimization using FIB techniques
机译:
MMIC电路优化使用FIB技术
作者:
Itoh K.
;
Ishikawa T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
53.
What GaAs chips should cost
机译:
gaas芯片应该成本
作者:
Skinner R.D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
54.
A 14-bit, 1 Gs/s DAC for direct digital synthesis applications
机译:
14位,1 GS / S DAC用于直接数字合成应用
作者:
Weiss F.G.
;
Bowman T.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
55.
Growth and new directions in commercial III-V epitaxial manufacturing
机译:
商业III-V外延制造业的生长和新方向
作者:
ONeill T.J.
;
Parsey J.M. Jr.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
56.
High efficiency monolithic Ka-band oscillators using InAlAs/InGaAs HEMTs
机译:
使用Inalas / Ingaas Hemts的高效单片KA波段振荡器
作者:
Kwon Y.
;
Ng G.I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
57.
A monolithic digital chirp synthesizer chip with I and Q channels
机译:
具有I和Q通道的单片数字啁啾合成器芯片
作者:
Van Andrews G.
;
Chang C.T.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
58.
X-band HBT VCO with high-efficiency CB buffer amplifier
机译:
具有高效CB缓冲放大器的X频段HBT VCO
作者:
Wang N.L.
;
Ho W.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
59.
Highly dense dual-channel C-X-Ku and 6-18 GHz MMIC power amplifiers
机译:
高度密集的双通道C-X-KU和6-18 GHz MMIC功率放大器
作者:
Platzker A.
;
Hetzler K.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
60.
A fully differential high speed, high fidelity cross point switch family designed with SCFL standard cells
机译:
具有SCFL标准单元的全差分高速,高保真交叉点开关系列
作者:
Savara R.M.
;
Larson D.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
61.
5-60 GHz high-gain distributed amplifier utilizing InP cascode HEMTs
机译:
5-60 GHz高增益分布式放大器利用INP Cascode HEMTS
作者:
Yuen C.
;
Pao Y.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
62.
A 0.25-watt three-stage Q-band MESFET monolithic power amplifier
机译:
0.25瓦三级Q频段MESFET单片功率放大器
作者:
Yang H.
;
Herman R.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
63.
Monolithic ultrahigh-speed GaAs HBT optical integrated receivers
机译:
单片超高速GaAs HBT光学集成接收器
作者:
Pedrotti K.D.
;
Sheng N.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
64.
Beam-forming matrix design using MMICs for a multibeam phased-array antenna
机译:
光束形成矩阵设计使用MMIC进行多芯相控阵天线
作者:
Gupta R.
;
Hampsch T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
65.
A Ku-band high efficiency ion-implanted MMIC amplifier
机译:
KU波段高效率离子植入MMIC放大器
作者:
Le H.M.
;
Shih Y.C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
66.
A double balanced 6-18 GHz GaAs MMIC mixer
机译:
双平衡6-18 GHz Gaas MMIC搅拌机
作者:
Maesel M.
;
Ou W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
67.
Low-loss, high-power, broadband GaAs MMIC multi-bit digital attenuators with on-chip TTL drivers
机译:
低损耗,大功率,宽带GaAs MMIC多位数字衰减器,具有片上TTL驱动器
作者:
Ali F.
;
Mitchell S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
68.
A production ready, 6-18 GHz five-bit phase shifter with integrated CMOS compatible digital interface circuitry
机译:
生产准备好,6-18 GHz五位相移器,具有集成的CMOS兼容数字接口电路
作者:
Simon K.M.
;
Schindler M.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
69.
A 4 kbit synchronous static random access memory based upon delta-doped complementary heterostructure insulated gate field effect transistor technology
机译:
基于三角形互补异结构绝缘栅极效应晶体管技术的4kbit同步静态随机存取存储器
作者:
Grider D.E.
;
Mactaggart I.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
70.
A compact, high gain, 2-20 GHz MMIC amplifier
机译:
紧凑,高增益,2-20 GHz MMIC放大器
作者:
Apel T.
;
Ludvik S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
71.
Suppression of low frequency oscillations for high gain GaAs amplifiers
机译:
高增益GaAS放大器的低频振荡抑制
作者:
Koketsu T.
;
Hatta Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
72.
Subhalf-micron gate GaAs MESFET process using phase-shifting-mask technology
机译:
使用相移掩模技术进行Subhalf-Micron栅极GaAs Mesfeet工艺
作者:
Kimura T.
;
Saito T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
73.
A gigasample/s 5 bit ADC with on-chip track hold based on an industrial 1 mu m GaAs MESFET E/D process
机译:
基于工业1 MU M GaAs Mesfet E / D过程的片上轨道保持的Gigasample / s 5位ADC
作者:
Hagelauer R.
;
Oehler F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
74.
A comparative study of GaAs MESFET backgating
机译:
GaAs Mesfeet Bastgating的比较研究
作者:
Salmon L.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
75.
High volume GaAs MMIC applications
机译:
大容量GaAs MMIC应用
作者:
Malone H.R.
;
Dydyk M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
76.
Two-phase dynamic FET logic: an extremely low power, high speed logic family for GaAs VLSI
机译:
两相动态FET逻辑:GaAs VLSI的极低功耗,高速逻辑系列
作者:
Nary K.R.
;
Long S.I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
77.
HBT IC technologies and applications in Japan
机译:
HBT IC技术和日本的应用
作者:
Hirayama M.
;
Honjo K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
78.
1/4 miniaturized passive elements for GaAs MMICs
机译:
Gaas MMIC的1/4小型化无源元素
作者:
Hirano M.
;
Imai Y.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
79.
Magnetron reactive ion etching for GaAs IC manufacturing technology
机译:
GaAs IC制造技术的磁控反应离子蚀刻
作者:
Namaroff M.
;
Sasserath J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
80.
MMIC family for DBS downconverter with pulse-doped GaAs MESFETs
机译:
MMIC系列用于DBS下变频器,带脉冲掺杂GaAs Mesfet
作者:
Shiga N.
;
Sekiguchi T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
81.
180 GHz InAlAs/InGaAs HEMT monolithic integrated frequency doubler
机译:
180 GHz Inalas / Ingaas Hemt单片综合倍增倍线
作者:
Kwon Y.
;
Pavlidis D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
82.
Monolithic receivers with integrated temperature compensation function
机译:
具有集成温度补偿功能的单片接收器
作者:
Dow G.S.
;
Chen T.H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
83.
System and technology aspects of future digital cellular phones in Europe
机译:
欧洲未来数字蜂窝电话的系统和技术方面
作者:
Briere P.
;
Perea E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
84.
10 Gbit/s bit-synchronizer with automatic retiming clock alignment using quantum well AlGaAs/GaAs/AlGaAs technology
机译:
10 Gbit / s位同步器,采用量子井Algaas / GaAs / Algaas技术自动降温时钟对齐
作者:
Wennekers P.
;
Nowotny U.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
85.
A 15-GHz monolithic low phase noise VCO using AlGaAs/GaAs HBT
机译:
使用Algaas / GaAs HBT的15 GHz单片低相噪声VCO
作者:
Yamauchi Y.
;
Kamitsuna H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《Annual Gallium Arsenide Integrated Circuit Symposium》
|
1991年
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