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Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93
Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93
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条结果
1.
Hot Carrier Monitoring in NMOS Transistors by Visible Light Emission
机译:
通过可见光监控NMOS晶体管中的热载流子
作者:
Schonstein I.
;
Muller J.
;
Hilleringmann U.
;
Goser K.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
2.
Pulsed Drain Current : A Highly Sensitive Technique for Interface Characterization in VLSI MOSFET's
机译:
脉冲漏极电流:一种用于VLSI MOSFET接口表征的高灵敏技术
作者:
Haddara H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
3.
Simultaneous Measurement of Carrier Mobility and Recombination Lifetime on a Testchip in MOS-Technology by means of the Shockley-Haynes-Experiment within the Temperature Range 98 K to 398 K
机译:
通过在98 K至398 K温度范围内的Shockley-Haynes实验,在MOS技术的测试芯片上同时测量载流子迁移率和复合寿命
作者:
Kruger B.
;
Friese Th.
;
Schmidt A.
;
Wagemann H.G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
4.
A Compact Method for Measuring Parasitic Resistances in Bipolar Transistors
机译:
一种测量双极晶体管寄生电阻的紧凑方法
作者:
Verzellesi G.
;
Chantre A.
;
Turetta R.
;
Cappellin M.
;
Pavan P.
;
Zanoni E.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
5.
Impact Ionization Effect in Complementary CHarge Injection Transistor
机译:
互补Charge注入晶体管的碰撞电离效应。
作者:
Tedesco C.
;
Mastrapasqua M.
;
Canali C.
;
Luryi S.
;
Zanoni E.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
6.
InP Channel HFETs with High Breakdown Voltage and Low Channel Noise
机译:
具有高击穿电压和低通道噪声的InP通道HFET
作者:
Nait-Zerrad K.
;
Post G.
;
Balestra F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
7.
DC Characterization and Low-Frequency Noise in ÃÂÿ-, Pulse- and Uniformly-doped GaAs/AIGaAs MODFETs
机译:
直流电特性和ƒ,γ脉冲,均匀掺杂GaAs / AIGaAs MODFET中的低频噪声
作者:
Shi Z.M.
;
Py M.A.
;
Buhlmann H.-J.
;
Ilegems M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
8.
Current transient spectroscopy on AlInAs/GaAlInAs heterojunction field effect transistors
机译:
AlInAs / GaAlInAs异质结场效应晶体管的电流瞬态光谱
作者:
Ababou S.
;
Ducroquet F.
;
Guillot G.
;
Berthier Ph.
;
Giraudet L.
;
Praseuth J. P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
9.
DC Characterization of Ga
0.51
In
0.49
P/GaAs Insulated-Gate Inverted-Structure HEMT Grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy (GSMBE)
机译:
气源分子束外延生长的Ga
0.51 inf> In
0.49 inf> P / GaAs绝缘栅反转结构HEMT的直流表征
作者:
Lu S. S.
;
Huang C. L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
10.
A Piezo-Electric Field Effect Transistor (PEFET) using Al
0.35
Ga
0.65
As/In
0.2
Ga
0.8
As/GaAs strained layer structure on (111)B GaAs substrate
机译:
使用Al
0.35 inf> Ga
0.65 inf> As / In
0.2 inf> Ga
0.8 inf> As的压电场效应晶体管(PEFET) (111)B GaAs衬底上的/ GaAs应变层结构
作者:
Huang C. L.
;
Lu S. S.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
11.
Numerical investigation of leakage current of Schottky contacts on InAlAs/InGaAs/InP heterostructures
机译:
InAlAs / InGaAs / InP异质结构上肖特基接触泄漏电流的数值研究
作者:
Ellrodt P.
;
Brockerhoff W.
;
Heedt C.
;
Tegude F. J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
12.
Pd-Ge based Ohmic Contacts to InGaAs-InAlAs High Electron Mobility Transistors
机译:
与InGaAs-InAlAs高电子迁移率晶体管的Pd-Ge基欧姆接触
作者:
Tardy J.
;
Cremillieu P.
;
Leclercq J.L.
;
Rojo-Romeo P.
;
Rochette J.F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
13.
Relationship between the 200-mm wafer size and the sub micron technologies
机译:
200毫米晶圆尺寸与亚微米技术之间的关系
作者:
Brillouet Michel
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
14.
Comparison of Ti and Ni salicides as regards the electrical conductance of silicided films
机译:
Ti和Ni自对准硅化物在硅化膜导电性方面的比较
作者:
Ohguro T.
;
Morimoto T.
;
Nishiyama A.
;
Ushiku Y.
;
Iwai H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
15.
Selective CVD TiSi
2
for Sub-0.5 ÃÂÿ N+/P+ CMOS Devices
机译:
低于0.5μs的N + / P + CMOS器件的选择性CVD TiSi
2 inf>
作者:
Haond M.
;
Regolini J.L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
16.
High Resolution Delineation of Bi-dimensional Dopant Profiles in Silicon: Early Stages of Diffusion from Cobalt Silicide Layers
机译:
硅中二维掺杂物轮廓的高分辨率描绘:硅化钴层扩散的早期阶段
作者:
La Via F.
;
Spinella C.
;
Rimini E.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
17.
Electrophysical parameters of the SiO
2
-Si system at very high temperatures
机译:
SiO
2 inf> -Si体系在高温下的电物理参数
作者:
Majkusiak B.
;
Beck R.B.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
18.
Committees
机译:
委员会
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
19.
Timetable
机译:
时间表
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
20.
Polysilicon Thin Film Transistor : a Study of some Techniques of Realisation of the Channel Region and of the Gate
机译:
多晶硅薄膜晶体管:沟道区和栅极实现的一些技术研究
作者:
Scheid E.
;
Campo E.
;
Pedroviejo J.J.
;
Naimi S.
;
Sarrabayrouse G.
;
Bielle-Daspet D.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
21.
Analysis of Hot Carrier Induced Degradation in Polycrystalline Silicon Thin Film Transistors
机译:
多晶硅薄膜晶体管中热载流子降解的分析
作者:
Fortunato G.
;
Pecora A.
;
Tallarida G.
;
Mariucci L.
;
Valdinoci M.
;
Gnudi A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
22.
Large Area Deposition of Device Quality SiO
2
for Poly Si TFT Fabrication
机译:
用于多晶硅TFT制造的器件质量SiO
2 inf>的大面积沉积
作者:
Plais F.
;
Morin B.
;
Stroh R. J.
;
Kretz T.
;
Legagneux P.
;
Huet O.
;
Walaine C.
;
Pribat D.
;
Jiang N.
;
Hugon M.C.
;
Agius B.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
23.
On the Way to the Silicon Carbide IMPATT
机译:
在通往碳化硅IMPATT的路上
作者:
Vassilevski K.V.
;
Dmitriev V.A.
;
Zorenko A.V.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
24.
The Role of TCAD in Parasitic Analysis of ICs
机译:
TCAD在IC寄生分析中的作用
作者:
Dutton Robert W.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
25.
Mechanisms of Hot-Carrier Degradation of Analog Device Parameters in n-MOSFETs
机译:
n-MOSFET中模拟器件参数的热载流子降解机理
作者:
Thewes Roland
;
Weber Werner
;
Goser Karl
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
26.
Study of process-induced mechanical stresses in multi-chip modules packaged with a chip-on-board technology
机译:
研究采用板载芯片技术封装的多芯片模块中的过程引起的机械应力
作者:
Guerin L.
;
Weber A.
;
Sarbach P.
;
Dutoit M.
;
Clot P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
27.
Efficient Calculation of 3-D Stress Distributions in Silicon around Embedded Structures
机译:
嵌入式结构周围硅中3-D应力分布的有效计算
作者:
Slehobr R.
;
Hobler G.
;
Potzl H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
28.
Generation of MOS Model Parameters Covering Statistical Process Variations
机译:
涵盖统计过程变化的MOS模型参数的生成
作者:
Power J.A.
;
Donnellan B.
;
Burke K.
;
Moloney K.
;
Mathewson A.
;
Lane W.A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
29.
Analysis and Modeling of Low Frequency Noise in Extremely Deep Submicron Silicon CMOS Devices
机译:
超深亚微米硅CMOS器件中的低频噪声分析和建模
作者:
Roux-dit-Buisson O.
;
Ghibaudo G.
;
Brini J.
;
Guegan G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
30.
Low-Frequency Noise Sources in Polysilicon Emiter Bipolar Transistors: Influence of Hot-Electron-Induced Degradation and Post-Stress Recovery
机译:
多晶硅发射器双极晶体管中的低频噪声源:热电子诱导的降解和应力后恢复的影响
作者:
Mounib A.
;
Balestra F.
;
Mathieu N.
;
Brini J.
;
Ghibaudo G.
;
Chovet A.
;
Chantre A.
;
Nouailhat A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
31.
Low-Frequency Noise in SOI MOSFETs from Room to Liquid Helium Temperature: Experimental and Numerical Simulation Results
机译:
从室温到液氦温度的SOI MOSFET中的低频噪声:实验和数值模拟结果
作者:
Jomaah J.
;
Balestra F.
;
Ghibaudo G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
32.
The microscopic interpretation of electron noise in Schottky-barrier diodes
机译:
肖特基势垒二极管中电子噪声的微观解释
作者:
Gonzalez T.
;
Pardo D.
;
Varani L.
;
Reggiani L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
33.
Universal Electrical Characteristics and Frequency Limits of the Permeable Base Transistor
机译:
渗透性基极晶体管的通用电气特性和频率极限
作者:
Chenevier P.
;
Kamarinos G.
;
Pananakakis G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
34.
Permeable Base Transistors with Schottky and junction Gates
机译:
带有肖特基和结栅的可渗透基极晶体管
作者:
van Rijs F.
;
Oostra D.J.
;
van Rooij-Mulder J.M.L.
;
Timmering C.E.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
35.
Optimization of submicron microwave transistors by lateral scaling
机译:
通过横向缩放优化亚微米微波晶体管
作者:
Webster M. N.
;
Verbruggen A.H.
;
Jos H.F.F.
;
Romijn J.
;
Moors P.M.A.
;
Radelaar S.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
36.
Sub-20 ps ECL Bipolar Technology with High Breakdown Voltage
机译:
具有高击穿电压的20 ps以下ECL双极技术
作者:
Katsumata Y.
;
Itoh N.
;
Nakajima H.
;
Inou K.
;
Iinuma T.
;
Matsuda S.
;
Yoshino C.
;
Tsuboi Y.
;
Iwai H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
37.
Physical Modelling of Dopant Diffusion: A Key Point for Deep Submicron CMOS Process Simulation
机译:
掺杂扩散的物理建模:深亚微米CMOS工艺仿真的关键点
作者:
Mathiot D.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
38.
Stress-dependent Oxidation Simulations for Submicron Technologies
机译:
亚微米技术的应力依赖氧化模拟
作者:
Krivokapic Zoran
;
Liu Bill
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
39.
2D Numerical Simulation of Titanium Silicide Growth
机译:
硅化钛生长的二维数值模拟
作者:
Fornara P.
;
Poncet A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
40.
A model for fast oxide thickness and surface concentration extraction for tunnel oxide capacitors
机译:
隧道氧化物电容器的快速氧化物厚度和表面浓度提取模型
作者:
Haspeslagh L.
;
Vanhorebeek G.
;
Deferm L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
41.
High Concentration Boron Diffusion Study Using A Complete Point Defect And Dynamic Nucleation Model
机译:
使用完全点缺陷和动态成核模型的高浓度硼扩散研究
作者:
Vandenbossche E.
;
Baccus B.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
42.
Two-Dimensional Modelling of SILO Isolation Structures
机译:
SILO隔离结构的二维建模
作者:
Collard D.
;
Senez V.
;
Baccus B.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
43.
Sensitivity of PNP Doping Profiles to Annealing Conditions - Role of Dynamic Clustering Phenomena
机译:
PNP掺杂分布对退火条件的敏感性-动态聚类现象的作用
作者:
Baccus B.
;
Vandenbossche E.
;
Monroy A.
;
Collard D.
;
Jaouen H.
;
Roche M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
44.
Technologies for System Integration: Constraints and Solutions in Modular Process Development
机译:
系统集成技术:模块化过程开发中的约束和解决方案
作者:
Rodde K.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
45.
The Design, Fabrication and Characterization of 0.15 ÃÂÿm MOS Devices
机译:
0.15μmMOS器件的设计,制作和表征
作者:
Hanafi H.
;
Coane P.
;
Dally A.
;
Lii T.
;
Mastin D.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
46.
Silicon based MIS devices with organic molecular monolayer as ultra-thin insulating film
机译:
具有有机分子单层作为超薄绝缘膜的硅基MIS器件
作者:
Vuillaume D.
;
Collet J.
;
Fontaine P.
;
Deresmes D.
;
Garet M.
;
Rondelez F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
47.
Physics and Technology for MOSFETs at 0.1 micron and Below
机译:
0.1微米及以下的MOSFET的物理和技术
作者:
Antoniadis Dimitri A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
48.
Photonic Integrated Circuits
机译:
光子集成电路
作者:
Carenco Alain
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
49.
Can cellular automata methods compete with Monte Carlo semiconductor device simulations?
机译:
元胞自动机方法可以与Monte Carlo半导体器件仿真竞争吗?
作者:
Zandler G.
;
Rein A.
;
Saraniti M.
;
Vogl P.
;
Lugli P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
50.
An analytical model of current-splitting in CMOS-compatible lateral bipolar transistors
机译:
CMOS兼容的横向双极型晶体管中电流分裂的解析模型
作者:
Freund D.
;
Kloes A.
;
Kostka A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
51.
Analysis and modeling of small-geometry effects on maximum cutoff frequency f
T
and forward transit time in high-speed self-aligned bipolar transistors
机译:
小几何形状对高速自对准双极晶体管的最大截止频率f
T inf>和正向过渡时间的影响分析和建模
作者:
Rinaldi N.
;
Spirito P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
52.
Low frequency noise in partially depleted SOI twin-MOSFET's
机译:
部分耗尽的SOI双MOSFET的低频噪声
作者:
Simoen E.
;
Claeys C.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
53.
Random Telegraph Signal related low-frequency noise peaks in submicrometer Si MOST's
机译:
Si MOST中与随机电报信号相关的低频噪声峰值
作者:
Simoen E.
;
Dierickx B.
;
Claeys C.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
54.
Noise Performance of MESFETs and MODFETs: Influence of the Gate Leakage Current
机译:
MESFET和MODFET的噪声性能:栅极漏电流的影响
作者:
Danneville F.
;
Dambrine G.
;
Happy H.
;
Cappy A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
55.
Low-Frequency Noise and Microwave Noise Parameters in Si/SiGe Heterojunction Bipolar Transistors
机译:
Si / SiGe异质结双极晶体管中的低频噪声和微波噪声参数
作者:
Plana R.
;
Kibbel H.
;
Gruhle A
;
Escotte L.
;
Roux Jp.
;
Graffeuil J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
56.
Experimental Analysis of Laser Diode Thermal Characteristics by Voltage Transient Measurements
机译:
电压瞬变测量激光二极管热特性的实验分析
作者:
Bagnoli P.E.
;
Piccirillo A.
;
Mottet S.
;
Thual M.
;
Oliveti G.
;
Ciampa M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
57.
Carrier Heating induced Picosecond Operation of GaInAsP/InP Laser Diode
机译:
载流子加热引起的GaInAsP / InP激光二极管的皮秒操作
作者:
Tolstikhin V.I.
;
Polyakov S.V.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
58.
High Power Oscillation of Reduced Spatial Hole Burning DFB Laser
机译:
减少空间空穴燃烧DFB激光器的大功率振荡
作者:
Talneau A.
;
Charil J.
;
Ougazzaden A.
;
Bouley J.C.
;
Duan G.H.
;
Girardin F.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
59.
Si
1-x
,Ge
x
Heterojunction Bipolar Transistors: the future of silicon bipolar technology or not?
机译:
Si
1-x inf>,Ge
x inf>异质结双极晶体管:硅双极技术的未来与否?
作者:
Ashbum P.
;
Shafi Z.A.
;
Post I.R.C.
;
Gregory H.J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
60.
Influence of the Base/Collector-Heterojunction on the Large and Small Signal Behaviour of Si/SiGe-HBTs and Consequences for Applications in High-Speed ICs
机译:
基极/集电极异质结对Si / SiGe-HBT的大信号和小信号行为的影响以及在高速IC中的应用后果
作者:
Albers J.N.
;
Schreiber H.-U.
;
Geppert W.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
61.
Influence of the Ge fraction and distribution in the base of Si/SiGe-HBTs on the transit frequency
机译:
Si / SiGe-HBT基中Ge的含量和分布对渡越频率的影响
作者:
RoBberg M.
;
Schwierz F.
;
Schipanski D.
;
Schreiber H.-U.
;
Albers J. N.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
62.
On the electron minority carrier mobility and the effective bandgap in heterojunction bipolar transistors with strained Si
1-x
Ge
x
-base
机译:
Si
1-x inf> Ge
x inf>-基异质结双极晶体管的电子少数载流子迁移率和有效带隙
作者:
Poortmans J.
;
Caymax M.
;
Van Ammel A.
;
Libezny M.
;
Werner K.
;
Jain S. C.
;
Nijs J.
;
Mertens R.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
63.
Reactive Ion Etching Damage to Strained Si
1-x
Ge
x
Heterojunction Diodes
机译:
应变Si
1-x inf> Ge
x inf>异质结二极管的反应性离子腐蚀损伤
作者:
Zhong Wei
;
Misra D.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
64.
Physical Modelling and Simulation of Advanced Si-devices - An Industrial Approach
机译:
先进硅器件的物理建模和仿真-一种工业方法
作者:
Slotboom J.W.
;
van Dort M.J.
;
Hurkx G.A.M.
;
Klaassen D.B.M.
;
Kloosterman W.J.
;
van Rijs F.
;
Streutker G.
;
Velghe R.M.D.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
65.
Study of a new SiO
2
etching process allowing deep and anisotropic trenches. Optimization of new reactor parameters by means of actinometry
机译:
研究一种新的SiO
2 inf>蚀刻工艺,该工艺可以形成深沟槽和各向异性沟槽。通过光度法优化新的反应堆参数
作者:
Morgenroth L.
;
Peccoud L.
;
Baussand P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
66.
Silicon Bulk Machining of Electrostatic Micromotors Fabrication and Potential Applications
机译:
静电微电机的硅大批量加工及其潜在应用
作者:
Ziad H.
;
Bounhir A.
;
Spirkovitch S.
;
Baillieu F.
;
Bourouina T.
;
Marty J.
;
Rigo S.
;
Lhoir A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
67.
Model of detection for a modulated conductivity sensor: application for a NO
x
gas sensor
机译:
调制电导率传感器的检测模型:NO
x inf>气体传感器的应用
作者:
Gutierrez J.
;
Ares L.
;
Robla J.I.
;
Sayago I.
;
Horrillo M.C.
;
Agapito J.A.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
68.
Channel Waveguides Through Silicon Wafers for Optically Coupled 3D Integrated Circuits
机译:
用于光耦合3D集成电路的硅晶片通道波导
作者:
Rudakov V.I.
;
Posternak V.V.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
69.
Physical Mechanisms of Hot-Carrier-Induced Degradation in Deep-Submicron MOSFETs
机译:
深亚微米MOSFET热载流子降解的物理机理
作者:
Cristoloveanu Sorin
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
70.
Design and Characterisation of the Well module for a 6 transistor CHOS SRAM cell in a 0.5 ÃÂÿ=m lithography CMOS technology
机译:
在0.5μm= CMOS光刻技术中用于6晶体管CHOS SRAM单元的阱模块的设计与表征
作者:
Le Mouellic C.
;
Le Neel O.
;
Rodde K.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
71.
Reliability of 0.35 ÃÂÿm Devices: Impact of Ultra-Shallow LDD-Source/Drains
机译:
0.35μm设备的可靠性:超浅LDD源/漏极的影响
作者:
Orlowski Marius
;
Mazure Carlos
;
Gunderson Craig
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
72.
The Gate-to-drain Overlap Effects on the Hot-carrier Induced Degradation of LDD P-channel MOSFET's
机译:
栅漏重叠对热载流子引起的LDD P沟道MOSFET退化的影响
作者:
Pan Y.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
73.
Effects of drain engineering on 0.35 ÃÂÿm NMOS Hot-Carrier degradation
机译:
漏极工程对0.35μmNMOS热载流子退化的影响
作者:
Paulzen G.M.
;
Woltjer R.
;
Montree A.H.
;
Politiek J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
74.
Identification of thermal and electrical time constants in SOIMOSFETS from small signal measurements
机译:
通过小信号测量确定SOIMOSFET中的热和电时间常数
作者:
Tenbroek B M
;
Redman-White W
;
Uren M J
;
Lee M S L
;
Ward M C L
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
75.
Physical Properties of Silicon CMOS Devices Operated between Liquid Helium and Room Temperature
机译:
在液氦和室温之间运行的硅CMOS器件的物理特性
作者:
Rais K.
;
Hafez I.M.
;
Emrani A.
;
Balestra F.
;
Ghibaudo G.
;
Haond M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
76.
Process and Design Considerations for Latch-Up Optimization on Deep Sub-Micron CMOS Technology
机译:
深亚微米CMOS技术闩锁优化的工艺和设计注意事项
作者:
Leroux C.
;
Guegan G.
;
Lerme M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
77.
Selective Epitaxial Bipolar Technology for 25 to 40 Gb/s ICs
机译:
适用于25至40 Gb / s IC的选择性外延双极技术
作者:
Meister T.F.
;
Stengl R.
;
Felder A.
;
Rein H.-M.
;
Treitinger L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
78.
Physical identification of an excess base current component in silicided half-micrometer polysilicon-emitter bipolar transistors
机译:
硅化的半微米多晶硅发射极双极型晶体管中过量基极电流成分的物理识别
作者:
Chantre A.
;
Kirtsch J.
;
Degors N.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
79.
Optimisation of BF
2
implanted pnp polysilicon emitter bipolar transistors using rapid thermal annealing
机译:
快速热退火优化BF
2 inf>注入的pnp多晶硅发射极双极晶体管
作者:
Moiseiwitsch N.E.
;
Ashburn P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
80.
P mono-/p polysilicon layer: Separation of influences on electron transport and their processing dependences
机译:
P mono- / p多晶硅层:对电子传输的影响及其处理依赖性的分离
作者:
Hu Bailin
;
Berger Horst H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
81.
ABCMOS3: A High Precision, High Speed, Modular BiCMOS Process for Analog/Digital Applications
机译:
ABCMOS3:适用于模拟/数字应用的高精度,高速,模块化BiCMOS工艺
作者:
Doyle D.
;
ONeill M.
;
Deignan A.
;
Whiston S.
;
Murphy M.
;
Roche M.
;
Rohan D
;
Stakelum R.
;
McLoughlin C.
;
Edwards S.
;
Yallup K.
;
Lane W.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
82.
High Current Properties of Combined Schottky/pn Diodes; Interaction between Closely Located Schottky and pn Diodes
机译:
肖特基/ pn组合二极管的高电流特性;肖特基二极管和pn二极管之间的相互作用
作者:
Olsson Jorgen
;
Norde Herman
;
Edholm Bengt
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
83.
The New Limits of Optical Lithography
机译:
光学光刻的新局限
作者:
Arnold W. H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
84.
Design Aspects for Multilayer Interconnections on ICs
机译:
IC上的多层互连的设计方面
作者:
Schettler Helmut
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
85.
The Future of High Density Packaging
机译:
高密度包装的未来
作者:
Johnson Barry C.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
86.
Framed Poly Buffer LOCOS Technology for 0.35 ÃÂÿm CMOS
机译:
适用于0.35μmCMOS的帧式多缓冲器LOCOS技术
作者:
Meyssen V.M.H.
;
Montree A.H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
87.
A 0.25ÃÂÿm Fully Planarized CMOS Technology
机译:
0.25μm全平面化CMOS技术
作者:
Beek M. ter
;
Nunan P.
;
Crank S.
;
Ta L.
;
Booth R.
;
Venkataraman K.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
88.
Optimised Drain/Source Engineering for 0.35 ÃÂÿm NMOS Transistors
机译:
针对0.35μmNMOS晶体管的优化的漏极/源极工程
作者:
Ogier J-L.
;
Haond M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
89.
Issues in the design of Heterojunction Bipolar Transistors for large signal analogue and high effliciency microwave power
机译:
用于大信号模拟和高效微波功率的异质结双极晶体管设计中的问题
作者:
Holden A.J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
90.
Safe Operating Current Density and Failure modes of Carbon doped base AlGaAs/GaAs HBTs
机译:
碳掺杂基础AlGaAs / GaAs HBT的安全工作电流密度和失效模式
作者:
Prasad S.J.
;
Hultine E.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
91.
A New GaAlAs-GaInP-GaAs HBT Technology for Digital and Microwave Applications
机译:
适用于数字和微波应用的新型GaAlAs-GaInP-GaAs HBT技术
作者:
Launay P.
;
Desrousseaux P.
;
Dangla J.
;
Fournier V.
;
Benchimol JL.
;
Alexandre F.
;
Duchenois AM.
;
Menouni M.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
92.
Rapid, On-line Extraction of Base Resistance of HBTs and Correlation with Minimum Noise Figure
机译:
快速在线提取HBT的基极电阻并与最小噪声系数相关
作者:
Prasad S.J.
;
Laskar J.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
93.
Highly Sensitive Gated InGaAs/InP Hall Sensors With Low Temperature Coefficient of the Sensitivity
机译:
具有高灵敏度温度系数的高灵敏门控InGaAs / InP霍尔传感器
作者:
Kyburz R.
;
Schmid J.
;
Popovic R.S.
;
Melchior H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
94.
Physics of AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures for high performance magnetic sensors
机译:
高性能磁传感器的AlGaAs / InGaAs / GaAs异质结构物理
作者:
Mosser V
;
Contreras S.
;
Aboulhouda S.
;
Lorenzini Ph.
;
Kobbi F.
;
Robert J.L.
;
Zekentes K.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
95.
SAW transduction technique for GaAs microelectronics compatible acoustoelectronic devices
机译:
GaAs微电子兼容声电子器件的声表面波转换技术
作者:
Miskinis R.
;
Rutkowski P.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
96.
SOI Technology Outlook for Sub-0.25 ÃÂÿm CMOS, Challenges and Opportunities
机译:
0.25μm以下CMOS SOI技术展望,挑战与机遇
作者:
Davari Bijan
;
Shahidi Ghavam G.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
97.
Optimisation of a self-aligned twin well without channel stop implant for improved isolation of a 0.4ÃÂÿm CMOS process
机译:
无通道停止植入的自对准孪生井的优化,以改进隔离的0.4µm CMOS工艺
作者:
Decoutere S.
;
Vancuyck G.
;
Deferm L.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
98.
Strained Layer Quantum Well Lasers for Optical Communications
机译:
用于光通信的应变层量子阱激光器
作者:
Lee T. P.
;
Zah C. E.
;
Bhat R.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
99.
Investigation of the Temperature Dependence of Threshold Current Density of GaInP/AlGaInP Multi Quantum Well Lasers
机译:
GaInP / AlGaInP多量子阱激光器阈值电流密度的温度依赖性研究
作者:
Barth F.
;
Klepser B.
;
Nagel S.
;
Ernst P.
;
Moser M.
;
Scholz F.
;
Schweizer H.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
100.
Modelling of Anomalous Boron Diffusion in Si/Si
1-x
Ge
x
HBTs
机译:
Si / Si
1-x inf> Ge
x inf> HBT中异常硼扩散的模型
作者:
Gregory H.J.
;
Mouis M.
;
Mathiot D.
;
Robbins D.J.
;
Glasper J.
;
Ashburn P.
;
Nigrin S.
会议名称:
《Solid State Device Research Conference, 1993. ESSDERC '93》
|
1993年
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