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第十二届全国红外科学技术交流会
第十二届全国红外科学技术交流会
召开年:
1996
召开地:
上海
出版时间:
1996-11-25
主办单位:
中国电子学会
会议文集:
第十二届全国红外科学技术交流会论文集
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50
条结果
1.
红外探测器组件可靠性指标分配初探
周赞熙
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文试图从分析红外探测器组件的组成及其可靠性因素入手,以60元PC-MCT探测器组件为例,介绍几种可靠性指标分配方法和相应的结果,并分别做出评估。
红外探测器;
2.
长波多元光导碲镉汞红外探测器实用化组件
范正风
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文简述国产化1.75W/80K分置式斯特林制冷机致冷的160元双排线列和120元单排线列光导碲镉汞红外探测器组件芯片制造工艺。
碲镉汞探测器;
3.
碲镉汞探测器的变温测试
程开芳
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
报道碲镉汞(HgCdTe)光导探测器变温测试的实施方法。
碲镉汞探测器;
4.
单级50K-80K混合工质JT节流制冷机热力分析及实验研究
罗二仓
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文对工作在50K-80K的混合物工质JT节流制冷机作了初步的热力分析,并采用混合物工质在一种开式JT节流制冷机上作了实验研究,实验中采用的混合物获得了73K-74K的最低温度。
制冷机;
5.
氮气氛下生长的硅单晶中N-O复合型浅施主的吸收光谱研究
石晓红
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
利用吸收光谱的方法研究了氮气气氛下生长的含氮Si单晶中浅施主的温度行为。
单晶;
6.
HgCdTe的反常高电子迁移率
廖仕坤
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文报道了碲镉汞的反常高电子迁移率。
半导体材料;
7.
化学战剂红外被动遥感与自动鉴别报警系统
张孝霖
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
已研制完成了一套被动红外化学战剂遥感报警系统。
自动报警系统;
8.
红外景像模拟与多波段红外景象生成
王庆宝
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文描述了红外景象模拟器的性能评价指标、实现方法及特点,并提出了一种可以满足红外成像制导系统的在线实物仿真、热成像系统和光电对抗系统的实验实评价要求的多波段红外景象生成技术。
红外成象;
9.
辉光放电质谱仪直接测定超高纯镉中的痕量杂质元素
普朝光
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该言法具有其它仪器分析方法无法达到的技术参数,可作为冶金半导体工业中超高纯金属和半导体材料中痕量杂质元素的定量分析方法。
质谱仪;
10.
256元锑化铟光伏焦平面探测器
赵建中
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文从几个方面简要介绍了256元锑化铟光伏焦平面探测器的研究情况,并从焦平面的角度讨论了长线列探测器的工艺及设计要求,另外也介绍了信号处理电路的研制情况以及如何完成焦平面的互联及测试工作。
锑化铟;
11.
GaAs/AlGaAs线列多量子阱红外探测器的研究
吴人齐
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
GaAs/A1GaAs多量子阱红外探测器是近几年出现的一种新型红外探测器,该文对GaAs/A1GaAs多量子阱材料及器件的基本原理作了介绍,并报导了十二元线列器件的性能,在T=77K时,D〈,λ〉≥6.8×10〈’10〉cmHz〈’1/2〉W〈’-1〉,R〈,λ〉≥2.5×106V/W,峰值响应波长λP=8.9μm,截止波长λC=9.3μm。
红外探测器;
12.
CdTe Raman散射的温度淬灭
周咏东
;
方家熊
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
利用傅里叶变换Raman散射技术研究了CdTe表面的Raman散射信号与激发光功率的关系,观察到了Raman散射信号的温度淬灭和CdTe表面的激光退火现象,实验中没有观察到Raman散射峰的移动。
半导体材料;
傅里叶变换;
散射;
碲化镉;
喇曼散射;
13.
32×32 LWIR焦平面器件研制和室温目标红外热成象
张勤耀
;
何力
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文将介绍了32×32元长波碲镉汞混成焦平面器件研制及室温目标红外热成象演示。该器件采用MBE碲镉汞薄膜材料、全平面离子注入成结工艺、Si-CMOS读出电路、倒焊互联混成、背照射工和模式。最新结果为:D*λ>1×10〈’10〉cmHz〈’1/2〉W〈’-1〉,响应率不均匀性12.4℅,有效象元数>98℅,NETD〈’-〉0.1℃(FOV=60°),响应波长8 ̄10μm。该器件实现了室温目标红外热成象。该项工作处国内领先水平。
红外探测器;
红外焦平面器件;
红外热成象;
14.
化学战剂红外被动遥感系统中对战剂干涉图有效数据段选用的研究
张孝霖
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
G类化学战剂与其它主要化学战剂在8-13μm范围内,其特征光谱相对于背景属窄带谱。
遥感;
15.
坦克红外隐身技术综述
侯阳
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文从热成像系统的信号方程出发,研究了坦克红外隐身技术的多种可能的方法和措施,最后提出了坦克红外隐身的综合评价参数一光谱匹配因数。
坦克;
16.
CW-106红外干扰模拟器研制
李金铎
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文介绍了干扰模拟器组成和工作原理,对光电干扰模拟器技术进行研讨。
红外干扰;
17.
红外焦平面参数定义和测试方法的讨论
董亮初
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文通过对比焦平面与单元探测器的结构和工作模式的不同,讨论了焦平面的参数量纲、“空间噪声”和“2-D〈’*〉;以及焦平面参数的测试方法,尤其是噪声的测试方法,与单元探测器有很大不同。
红外探测器;
18.
夜间低空导航吊舱红外前视系统研究
路学荣
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文对夜间低空导航吊舱红外前视系统关键技术参数进行了探入的分析,给出了系统组成流程图,并对其工作原理进行了描述;最后给出了样机的使用效果及前景展望。
红外前视系统;
19.
MBEHgCdTe薄膜生长及特性分析
陈世达
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文报导用分子束外延工艺在GaAs(211)B衬底上生长HgCdTe外延膜的实验,用X射线双晶衍射,透射电镜,富里叶红外光谱仪和Hall系数等测量方法对所生长的HgCdTe薄膜的结构和光电特性进行质量评价。
薄膜生长;
20.
自积分线列焦平面读出电路的噪声分析
董亮初
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
对以自积分模式工作的线列焦平面读出电路的噪声进行了分析,并对研制的22元、24元、32元、64元器件读出电路的噪声进行了测试,结果表明,良好工艺制成的电路,其主要噪声源为KTC噪声,实测的数据与理论值基本一致。
红外探测器;
21.
红外制导成像方式的选择
杨应槐
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文通过对扫描和凝视两种类型成像系统固有特性的分析和比较,明确指出,在红外制导上应用红外成像系统,从体积、重量、性能,可靠性和效费比等方面综合考虑,理应瞄准凝视红外成像技术,并对在当前技术条件下,如何开展凝视红外成像技术研究提出几点建议。
红外成像;
22.
红外成象末制导自动识别与跟踪技术研究
谢主生
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
图象识别与跟踪是红外成象末制导头不可缺少的重要组成部分,舰船红外目标图象识别是反舰红外成象末制导头的一大技术难题,全自动实时图象识别在导弹末制导头上实际应用,在国内外都是正在攻关的课题。
红外成象;
23.
CdTeRaman散射的温度淬灭
周咏东
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
利用傅里叶变换Raman散射技术研究了CdTe表面的Raman散射信号与激发光功率的关系,观察到了Raman散射信号的温度淬灭和CdTe表面的激光退火现象,实验中没有观察到Raman散射峰的移动。
半导体材料;
24.
HgCdTe长波光导探测器表面积累层的迁移率谱研究
桂永胜
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
采用迁移率谱和多电子拟合过程对HgCdTe长波光导探测器表面积累层变磁场实验数据进行了处理。
碲镉汞探测器;
25.
大面积长波HgCdTe晶体材料的研究
郎维和
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文报导了大面积长波MCT晶体研究结果及其应用情况,通过改进单晶炉结构温场分布;缩小熔区及引入籽晶生长技术,结果晶体直径扩大到Φ20mm,晶体结构完整性得到改善,并进行了深低温测试与少子寿命测试等分析。
晶体;
26.
12元线阵高Tc超导亚毫米波成像技术研究
唐义平
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
亚毫米波成像技术是指大于15μm以上的区域,对目标及背景形成图象。
探测器;
27.
Φ40mm大直径Cd<,1-y>Zn<,y>Te晶体制备及其特性
莫玉东
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
用EAg-1溶液腐蚀得到的EPD平均为(1 ̄3)×10〈’5〉cm〈’2〉,红外透射比T(2.4μm ̄24μm)<60%,X-ray衍射Laue反射相衬度均匀,显示结构良好,晶锭重量在800克 ̄1000克之间,这是目前国内报道的最大直径的碲锌镉晶体。
晶体;
28.
锑化铟单晶载流子浓度分析
郝秋来
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文通过对采用〈211〉生长方向大直径锑化铟单晶的分析,详细给出了锑化铟晶片杂质浓度在径向和轴向及切片方同的分布,并得到载流子浓度均匀的大直径晶片。
锑化铟;
29.
32×32LWIR焦平面器件研制和室温目标红外热成象
张勤耀
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文将介绍了32×32元长波碲镉汞混成焦平面器件研制及室温目标红外热成象演示。
红外探测器;
30.
长波红外成象导引头的设计和技术攻关
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文论述了一种长波红外成像导引头的设计与其中的各分系统中关键技术的攻关。
红外成象;
31.
中红外成象制导技术
何大竺
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
文中首先简述了中红外成象的优点,国外在导弹上应用的状况,以及该系统的组成和结构。
红外成象;
32.
红外焦平面阵列成象技术发展趋势
何启予
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文首先介绍当代红外焦平面阵列(IRFPA)成象系统的技术和应有情况,重点介绍IRFPA成象系统的关键部件一IRFPA探测器的实际水平和发展趋势,简要介绍IRFPA成象系统的光学系统和信号处理的基本要求,最后,作了总结,并提出了建议。
红外探测器;
33.
大气的亚毫米波段吸收和散射效应研究
李卫
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
大气的亚毫米波散射,吸收特性是系统设计中的重要依据,它将影响系统的作用距离、分辨率等重要参数。
大气吸收;
34.
背景辐射对长波HgCdTe光电导探测器性能的影响
张卫军
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
用光电导衰退测量了不同背景下载流子有效寿命,用红外探测器的标准测试方法测量了不同背景下器件的性能。
探测器;
35.
高Tc超导探测器近亚毫米波辐射能量探测实验
唐义平
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文利用多窗口透射材料,分别组合成通过亚毫米波段的波带,以分析目标的辐射分布和器件的响应波段,并对红砖、木材、铝、铜等材料的亚毫米辐射能量采用单元高Tc超导探测器组成的探测系统进行分析测量。
探测器;
36.
两类混合红外焦平面线列探测器积分时间调整技术研究
孟卫华
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
文章分析了目前使用的两类混合红外焦平面线列探测器在红外成象制导系统中的工作状态,研究了其积分时间调整技术并给出了调整方法,从而得到调整系统动态范围的方法,用以提高成象制导系统的探测性能。
红外探测器;
37.
工程化双波段短波多元碲镉汞探测器
翟文生
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文报导了封装在一个外尺寸为20×20×4.5mm〈’3〉的充氮管壳内的两个波段拼接的8元短波MCT探测器工程化组件。
碲镉汞探测器;
38.
双色Hg<,1-x>Cd<,x>Te/Hg<,1-x>Cd<,x>Te叠层式红外探测器芯片厚度控制
胡旭
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文首次介绍了双色器件工艺中的关键步骤--芯片厚度控制技术,就其相关理论进行讨论并进行了实验测定。
红外探测器;
39.
90-1CMOS多路转换器的研制
倪云芝
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
研制出了一个用于多路模拟信号传输的90-1CMOS多路转换器,它可用于将90路并行输入信号,转换成一路串行输出信号送到后级放大器。
转换器;
40.
HgCdTe分子束外延的椭偏实时监控
王善力
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
利用椭圆偏振实时监测技术对Hg〈,1-x〉Cd〈,x〉Te材料的生长过程进行了研究,并在可见光波段,建立了Hg〈,1-x〉Cd〈,x〉Te高温下的光学常数数据库,掌握了材料的生长过程。
分子束外延;
41.
微型斯特林低温制冷机关键部件-膜片弹簧柔性支承研究
王奕文
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文介绍利用ANSYS有限元分析程序和实验测定,进行微型斯特林低温制冷机柔性支承膜片弹簧力学特性的分析。
制冷机;
42.
碲镉汞晶片少子寿命面分布的自动测试技术
龚海梅
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
建立了一套碲镉汞薄晶片加工过程中的少子寿命面分布自动检测系统,用于碲镉汞多元光导器件制备工艺生产线,获得了180元器件性能分布同薄晶片少子寿命分布一致的结果。
晶体;
43.
垂直勃里奇曼法生长碲镉汞晶体在微重力下的传热、传质及流动分析
沈杰
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
垂直勃里奇曼法生长碲镉汞晶体的传热、传质及流动的数值分析表明:在微重力状态下,随着熔体内部流动强度的减弱,虽然反映凝固界面的温度分布受到的影响较小,但反映材料均匀性的浓度分布却得到了极大的改善,有助于提高生长晶体的质量。
晶体;
44.
MBE-HgCdTe薄膜基本参数的测量与评价
杨建荣
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
分子束外延HgCdTe/CdTe/GaAs材料的红外透射光谱和理论计算结果得到了很好的吻合,用该方法得到的材料基本参数具有很好的精度和准确度,并由此获得了此延材料的均匀性参数,为HgCdTe红外焦平面制备提供了重要的材料性能指标。
分子束外延;
45.
128×1线列碲镉汞长波红外焦平面器件研制
张勤耀
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文介绍128×1元碲镉汞长波红外芯片研制及新型混成互联方法的实现。
晶体;
46.
星用辐射制冷器减振器的设计和研究
杨晓峰
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
辐冷器是应用于航天技术上的一种制冷装置。
制冷装置;
47.
碲镉汞杂质缺陷的红外磁光电导光谱
刘普霖
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
晶体;
48.
128元长波光伏碲镉汞器件
韩福忠
《第十二届全国红外科学技术交流会》
|
1996年
摘要:
该文概要叙述了128元长波光伏碲镉汞器件的原理及研制工艺,CMOS互连后测试结果:峰值D〈,λ〉=3.4×10〈’10〉cmHz〈’1/2〉W〈’-1〉,Rvλ=1.2×10〈’8〉V/W,波长8-10.5μm和用128元长波光伏碲镉汞器件研制成功的热像仪成像情况。
碲镉汞探测器;
49.
MBE HgCdTe薄膜生长及特性分析
陈世达
;
何先忠
《第十二届全国红外科学技术交流会》
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1996年
摘要:
该文报导用分子束外延工艺在GaAs(211)B衬底上生长HgCdTe外延膜的实验,用X射线双晶衍射,透射电镜,富里叶红外光谱仪和Hall系数等测量方法对所生长的HgCdTe薄膜的结构和光电特性进行质量评价。
薄膜生长;
分子束外延;
HgCdTe薄膜;
光电特性;
50.
90-1 CMOS多路转换器的研制
倪云芝
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李建军
《第十二届全国红外科学技术交流会》
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1996年
摘要:
研制出了一个用于多路模拟信号传输的90-1 CMOS多路转换器,它可用于将90路并行输入信号,转换成一路串行输出信号送到后级放大器。它噪声低,动态范围大,路间一致性好。电路带有移位寄存器,可顺序地控制CMOS传输开关,信号输出端还带有一个源极跟随放大器。可应用于各种需要多路模拟信号处理的系统。
转换器;
移位寄存器;
噪声;
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