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机译:化学处理前体层制备的Cu(in,ga)se_2薄膜的结构性质
Centre for Renewable Energy Systems Technology, Holywell Park GX Area, Department for Electronic and Electrical Engineering, Loughborough University, Leicestershire, LE11 3TU, UK;
thin film solar cells; cuingase_2; CIGS; non vacuum; ion exchange;
机译:通过单步硒化溅射沉积的Cu-In-Ga-Se前驱体层制备的无Ga偏析的Cu(In,Ga)Se_2薄膜
机译:堆积顺序对通过InSe / Cu / GaSe合金与元素Se蒸气和二乙基硒化物气体热反应制备的Cu-In-Ga-Se前驱体的结构特征的影响,以形成Cu(In,Ga)Se_2薄膜
机译:Cu(In,Ga)Se_2薄膜中In-Ga-Se前驱层中掺入铜的结构研究
机译:退火对RF溅射制备的Cu(In,Ga)Se_2薄膜结构性能的影响
机译:通过金属有机化学气相沉积相选择合成Tl-Ba-Ca-Cu-O薄膜和多层结构。工艺优化,相变,电学表征和微结构发展。
机译:沉积温度对化学制备纳米晶硒化铅薄膜的结构和光学性能的影响
机译:化学处理前体层制备的Cu(In,Ga)Se-2薄膜的结构性质
机译:Cu(In,Ga)s2,CuGa-In前驱体H2s硫化制备薄膜太阳能电池