机译:聚偏二氟乙烯-三氟乙烯与无机Pb(Zr,Ti)O_3共混的有机薄膜的铁电性能
Department of Nano CMOS, National NanoFab Center, Daejeon 305-806, Republic of Korea;
Schoool of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul 130-743, Republic of Korea;
Schoool of Electrical and Computer Engineering, University of Seoul, Seoul 130-743, Republic of Korea;
Ferroelectric; P(VDF-TrFE); Pb(Zr,Ti)O_3; Memory window; Hysteretic characteristics;
机译:非晶态Pb(Zr,Ti)O_3(PZT)在确定PZT共混的聚偏二氟乙烯-三氟乙烯(P(VDF-TrFE)薄膜)的铁电性能中的作用
机译:掺有Pb(Zr,Ti)O3的聚偏二氟乙烯-三氟乙烯(P(VDF-TrFE))非晶态前驱体膜的结晶和铁电性能
机译:掺有Pb(Zr,Ti)O3的聚偏二氟乙烯-三氟乙烯(P(VDF-TrFE))非晶态前驱体膜的结晶和铁电性能
机译:应变增强的PB(Zr_(0.8)Ti_(0.2))O_3 / PB(Zr_(0.2)Ti_(0.8))O_3多层薄膜而无缓冲层的介电和铁电性能
机译:聚偏二氟乙烯-六氟丙烯共聚物及其与聚偏二氟乙烯-三氟乙烯共聚物的共混物的电致伸缩和铁电性能。
机译:Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜中铁电和光学性质的厚度依赖性
机译:用于有机铁电场效应薄膜晶体管的抗炎和表征聚(偏二氟乙烯 - 三氟乙烯)共聚物薄膜。
机译:铁电90(度)域形成与化学制备的pb(Zr,Ti)O(sub 3)薄膜电性能的关系