机译:Si,GaAs和In_(0.53)Ga_(0.47)As模板上生长的InAs薄膜的低温生长和物理性能
Univ Grenoble Alpes, LTM, F-38000 Grenoble, France;
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Univ Grenoble Alpes, IMEP LAHC, F-38000 Grenoble, France;
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Metalorganic vapor phase epitaxy; Thin films; Semiconducting III-V materials; Gallium arsenide; Silicon;
机译:使用InGaAlAs变质缓冲液在GaAs上低温生长的In_(0.53)Ga_(0.47)As的载流子动力学
机译:在硅衬底上的MOCVD生长的InGaAs外延层上制造的低界面陷阱密度Al_2O_3 / In_(0.53)Ga_(0.47)As MOS电容器
机译:“ InAs量子点中间薄层对在(001)GaAs上生长的InSb薄膜的物理性能的影响”更正[薄膜固态薄膜520(21)(2012)6589-6594)
机译:使用InGaAlAs变质缓冲液在GaAs上低温生长的In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As的电和结构性质
机译:二氧化铬 - 低温薄膜生长,结构和物理性质
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机译:使用inGaAlAs变质缓冲液在0.53Ga0.47ason GaAs中低温生长的电学和结构性质
机译:mBE(分子束外延)在低衬底温度和生长速率下生长的Gaas薄膜的研究。