超短パルスガンマ線誘起陽電子消滅寿命分光法によるガーネットシンチレータ結晶の空孔型欠陥複合体の可視化

摘要

超短パルスガンマ線を用いた陽電子消滅寿命分光(Gamma-ray-induced Positron Annihilation Lifetime Spectroscopy;GiPALS)はバルク内部に含まれる極微量の空孔型欠陥を正確に捉えることができる優れた手法である。この方法を用いて，ガーネットシンチレータであるGd_3Al_2Ga_3O_(12)：Ce(GAGG：Ce)結晶中に空孔型欠陥が存在することを明らかにした。空孔型欠陥はシンチレータに不要な燐光を生じさせる原因と考えられておリ，この発見はGAGG：Ce結晶のシンチレータ特性を改善するための重要な手がかりとなる。