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机译:原子氢刻蚀产生的Si / SiGe异质结构中的尖锐n型掺杂分布
Univ London Imperial Coll Sci Technol & Med, Dept Phys, Blackett Lab, London SW7 2BW, England;
Univ London Imperial Coll Sci Technol & Med, Ctr Elect Mat & Devices, Blackett Lab, London SW7 2BW, England;
Natl Univ Singapore, Dept Phys, Singapore 117542, Singapore;
Natl Univ Singapore, Div Phys & Appl Phys, Sch Phys & Math Sci, Singapore 637616, Singapore;
Cascade Sci Ltd, Uxbridge UB8 3PH, Middx, England;
molecular beam epitaxy; secondary ion mass spectroscopy; X-ray diffraction; surface segregation; growth; MOLECULAR-BEAM EPITAXY; GROWTH-RATE; SILICON; SI; MBE; KINETICS; SI(100); GASES; RATES;
机译:高迁移率n型Si / SiGe调制掺杂异质结构中的门控霍尔效应测量
机译:掺杂分布对埋沟道SiGeC / Si异质结构MOS器件潜在性能的影响
机译:Ge +离子注入和随后的氢转移产生的绝缘体上的SiGe异质结构
机译:由Ge〜+ - 植入植入和随后的氢转移产生的SiGe异质结构 - 绝缘体
机译:通过超高真空化学气相沉积的原子平Si / SiGe异质结构的生长
机译:用于热电应用的高掺杂n型SiGe晶体的压敏液相外延
机译:用于原子精密供体的siGe异质结构的原子层掺杂 设备