机译:通过第一性原理计算氧空位对非相干金属/氧化物界面粘附的影响
Center for Atomic and Molecular Technologies, Osaka University, Japan Department of Mechanical Engineering, Osaka University, Japan;
Center for Atomic and Molecular Technologies, Osaka University, Japan Department of Mechanical Engineering, Osaka University, Japan;
metal/oxide interface; oxygen vacancy; adhesion; density functional theory;
机译:金属/ MgO非相干界面处的电子态和粘附特性:第一性原理计算
机译:通过第一性原理计算金属/氧化物非相干界面的键合性质
机译:结合二元过渡金属氧化物的电阻变化存储材料中氧空位有序效应的第一原理计算
机译:金属/氧化物不连贯界面处的粘合性行为的第一原理计算
机译:氧化物表面和金属氧化物界面的反应性:水蒸气压力对超薄氧化铝膜的影响,以及铂在超薄氧化膜上的生长模式及其对粘附力的影响的研究。
机译:石墨烯/金属氧化物界面的肖特基势垒:第一性原理计算的见解
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