机译:D_2从Si(100)表面解吸的扩散促进解吸机理
Department of Electrical Engineering, Yamagata University, Yonezawa 992-8510, Japan;
rnDepartment of Electrical Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu 804-8550, Japan;
rnDepartment of Electrical Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu 804-8550, Japan;
rnDepartment of Electrical Engineering, Kyushu Institute of Technology, Kitakyushu 804-8550, Japan;
hydrogen; Si(100) surface; desorption; monte carlo method;
机译:使用扫描隧道显微镜和程序升温脱附研究了Ge(100)-2 X 1:H(D)表面H_2(D_2)脱附的动力学
机译:HD和D_2分子从D / Si(100)表面暴露于调制的H射线的瞬态解吸
机译:H诱导的HD和D_2从Si(100)表面脱附的角度分布
机译:Si单晶体表面(100)和(111)的原子取代方法外延生长的机制和在单晶中生长的Si膜的表面上的表面(100)和(111)
机译:钨(100)和修饰的钨(100)表面上的烃和氨基的反应机理。
机译:过渡金属氧化物纳米颗粒作为表面活性剂用于沥青质的表面辅助激光解吸/电离质谱
机译:从si(100)解吸D_2的从头算分子动力学研究
机译:共价表面氢解吸的新机制:si(100)上的单氢化物相。