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机译:Al(111)/ 6H-SiC(0001)界面结构性质的第一性原理研究
Zhengzhou Univ, Sch Phys & Engn, Zhengzhou 450052, Henan, Peoples R China;
Henan Univ Sci & Technol, Coll Mat Sci & Engn, Luoyang 471023, Peoples R China;
Henan Univ Sci & Technol, Coll Mat Sci & Engn, Luoyang 471023, Peoples R China;
Henan Univ Sci & Technol, Sch Phys & Engn, Luoyang 471023, Peoples R China;
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Zhengzhou Univ, Sch Phys & Engn, Zhengzhou 450052, Henan, Peoples R China;
Interfaces; C-terminated; Si-terminated; Tensile; Charge density difference;
机译:Al(111)/ 6H-SiC(0001)界面对变形行为的缺陷的影响:第一原理研究
机译:Ti,Si,Mg和Cu添加量对Al(111)/ 4H-SiC(0001)界面的界面性质和电子结构的影响:第一性原理研究
机译:界面结构对α-Al_2O_3(0001)/ Ni(111)界面肖特基势垒高度的影响:第一性原理研究
机译:第一原理计算Niti(111)//α-Al2O3(0001)界面的粘附强度和电子结构
机译:氧化镁(100),铂(111)和碳(0001)/铂(111)的小正构烷烃的解吸动力学和钯纳米颗粒的研究:在氧化铝(0001)上生长和烧结以及在氧化镁上甲烷解离(100)。
机译:过渡元件添加对Al(111)/ 6H-SiC(0001)界面的界面相互作用和电子结构的影响:第一原理研究
机译:计算Al(111)/ 6H-SiC(0001)界面性能研究