ОСОБЕННОСТИ РОСТА И СВОЙСТВ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ И МДП-СТРУКТУР, ПОЛУЧЕННЫХ С ПРИМЕНЕНИЕМ АНОДНОГО ОКИСЛЕНИЯ InAs В ЭЛЕКТРОЛИТЕ, СОДЕРЖАЩЕМ ИОНЫ ФТОРА

摘要

Profiles of fluorine atom distribution over the thickness of dielectric layers and electrophysical parameters of MIS structures obtained using the anodic oxidation of InAs crystals in galvanostatic mode at two anodizing current density values in an electrolyte containing fluoride ions are investigated. Observed specific changes in the fluorine atom distribution of the grown layers and in the effective surface charge at the InAs-layer interface are discussed.%Исследованы профили распределения атомов фтора по толщине диэлектрических слоев и электрофизические параметры МДП-структур, полученных с применением анодного окисления кристаллов InAs в гальваностатическом режиме при двух значениях плотности тока анодирования в электролите, содержащем ионы фтора. Обсуждаются обнаруженные при выращивании слоев особенности изменения распределения атомов фтора и эффективного поверхностного заряда на границе раздела InAs-слой.