ВЛИЯНИЕ НАНОРАЗМЕРНЫХ СЛОЕВ YVO_4 И BiP_xV_(1-x)O_4 НА ПОВЕРХНОСТИ InP НА ТЕРМООКСИДИРОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКА, ФАЗОВЫЙ СОСТАВ И МОРФОЛОГИЮ ПЛЕНОК

摘要

Установлено эффективное хемостимулирующее и модифицирующее воздействие BiP_xV_(1-x)O_4 на процесс термооксидирования InP, заключающееся в блокировании диффузии неокисленного индия в формирующиеся пленки и интенсивном формировании ванадатно-фосфатного каркаса. Присутствие в синтезированных пленках V_2O_5, обладающего каталитической активностью в исследуемых процессах, при эффективной энергии активации порядка 50 кДж/моль и большом относительном приросте толщины на протяжении всего процесса позволяют говорить о каталитической составляющей механизма оксидирования. Формирование фосфатного каркаса пленок при оксидировании YVO_4/InP осуществляется за счет вторичных взаимодействий окисленных компонентов полупроводника аналогично механизму собственного оксидирования фосфида индия.