...
首页> 外文期刊>Поверхность Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования >ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ОБЪЯСНЕНИЕ ЭФФЕКТА УМЕНЬШЕНИЯ ЭНЕРГИИ ПЛАЗМОНОВ Si(111) ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ С БОЛЬШОЙ ДОЗОЙ
【24h】

ТЕОРЕТИЧЕСКОЕ ОБЪЯСНЕНИЕ ЭФФЕКТА УМЕНЬШЕНИЯ ЭНЕРГИИ ПЛАЗМОНОВ Si(111) ПРИ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНОВ С БОЛЬШОЙ ДОЗОЙ

机译:在大剂量植入离子时减少等离子体Si(111)能量效果的理论解释

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
           

摘要

В работе приводится теоретическое объяснение экспериментально обнаруженного эффекта уменьшения энергии возбуждения поверхностных и объемных плазменных колебаний валентных электронов кремния Si(111) при имплантации ионов Ва и щелочных элементов с большой дозой D > > 10~(16) см~(-2). Наблюдаемый эффект уменьшения энергии плазмонов Si(lll) объясняется на основе двухжидкостной модели электронного газа сильным затуханием колебаний валентных электронов вследствие разупорядочения кристаллической структуры Si(lll) вплоть до полной аморфизации.
机译:本文提供了通过大剂量D 10的植入离子和碱性元素的离子植入期间降低硅(111)的表面和体积等离子体Si(111)的激发能量的实验检测效果的理论说明。 〜(16)cm〜(-2)。在二维电子气体模型的基础上解释了减少等离子体Si(LLL)的能量的观察到,由于晶体结构Si(LLL)的失调,以完全无晶体化的振荡,从价电子振荡的强度衰减。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号