УГЛОВЫЕ ЗАВИСИМОСТИ РАСПЫЛЕНИЯ КРЕМНИЯ ФОКУСИРОВАННЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМ ГАЛЛИЯ

摘要

Получены угловые зависимости состава поверхностного слоя и коэффициента распыления кремния при облучении поверхности фокусированным пучком ионов галлия с энергией 30 кэВ. Анализ состава поверхности проводился методами растровой электронной оже-спектроскопии и вторично-ионной масс-спектрометрии. Коэффициенты распыления определялись по измерениям объемов распыленных кратеров и дозы облучения. Установлено, что содержание галлия в приповерхностном слое при углах падения, близких к нормали составляет около 30 ат. %. При углах падения, больших 30°, концентрация галлия достаточно резко уменьшается. Угловая зависимость коэффициента распыления кремния не коррелирует с содержанием галлия в приповерхностном слое и достаточно хорошо описывается каскадным механизмом распыления П. Зигмунда.