ТОНКИЕ ПЛЕНКИ SiC, ПОЛУЧЕННЫЕ МЕТОДОМ ИМПУЛЬСНОГО ЛАЗЕРНОГО ОСАЖДЕНИЯ НА А1_2O_3: МОРФОЛОГИЯ И СТРУКТУРА

摘要

Методом импульсного лазерного осаждения из керамической мишени в вакууме получены тонкие субмикронные пленки SiC на подложках а-А1_2O_3 (0001). Методами растровой и просвечивающей электронной микроскопии, сканирующей зондовой микроскопии, рентгеновской дифрактомет-рии, ИК фурье-спектрометрии, спектроскопии комбинационного рассеяния света исследовано влияние температуры подложки на состав, структуру и морфологию поверхности экспериментальных образцов. Показано, что при температуре подложки Т_(ПОДЛ) = 1000°С наблюдается гетероэпитаксиальный рост ЗС—SiC со следующей преимущественной ориентацией относительно подложки: [0001]А1_2O_3||[111]SiC и [2110]Al_2O_3||[211]SiC, [1 100]Al _2O_3||[1 10]SiC. Форма рефлексов от плоскостей семейств {011} и {131} ЗС—SiC на микроэлектронограмме говорит о наличии в пленке локальных областей, повернутых на углы до ±7.5° вокруг оси роста. Таким образом, установлено, что пленка ЗС—SiC, полученная на а-А1_2O_3 при температуре подложки 1000°С, имеет мозаичную структуру, частично компенсирующую механические напряжения, возникающие из-за рассогласования параметров решеток и температурных коэффициентов расширения в плоскости спайности.