РАСПЫЛЕНИЕ МОНОКРИСТАЛЛОВ КРЕМНИЯ ПОД ВОЗДЕЙСТВИЕМ ПУЧКОВ ИОНОВ ГЕЛИЯ И АРГОНА СО СРЕДНЕЙ ЭНЕРГИЕЙ 10 кэВ

摘要

Рассмотрены особенности топографии поверхности, возникающие в результате распыления монокристаллических подложек Si различной ориентации с напыленными тонкими пленками под воздействием пучков ионов Аг~+ и Не~+ с энергией в широком диапазоне. Показано, что толщина модифицированного слоя существенно зависит от дозы облучения. Наилучшей однородности поверхности монокристаллов кремния различной ориентации удается достичь при одновременном обучении ионами Аг~+ и Не~+ в отношении, близком к 1 : 1.