РОЛЬ ПОДРЕШЕТКИ УГЛЕРОДА В КОМПЕНСАЦИИ ПРОВОДИМОСТИ n-SiC

摘要

Проанализировано образование радиационных дефектов в подрешетке углерода карбида кремния при облучении протонами с энергией 15 МэВ и электронами с энергией 0.9 МэВ. Проведено численное моделирование, и получены гистограммы распределения энергии, передаваемой атомам отдачи углерода. При анализе гистограмм рассмотрены две области значений энергии. В области малых энергий создаются одиночные изолированные пары Френкеля с близко расположенными компонентами. В другой области энергия атомов отдачи достаточна для возникновения каскада смещений. С повышением энергии первично выбитых атомов увеличивается среднее расстояние между генетически родственными парами Френкеля, и, как следствие, увеличивается доля не ре-комбинировавших при облучении пар. Выполнены оценки радиуса рекомбинации пары Френкеля в подрешетке углерода.