ОПРЕДЕЛЕНИЕ КОНЦЕНТРАЦИИ ДЕЙТЕРИЯ, ИМПЛАНТИРОВАННОГО В БЕРИЛЛИЙ, НА ОСНОВЕ СПЕКТРОСКОПИИ ПИКОВ УПРУГО ОТРАЖЕННЫХ ЭЛЕКТРОНОВ

摘要

Относительная концентрация дейтерия, имплантированного в бериллий, определяется на основе спектроскопии пиков упруго отраженных электронов. Для последовательного определения энергетических спектров отраженных электронов используется метод парциальных интенсивностей, основанный на решении граничной задачи для уравнения переноса методом инвариантного погружения. Восстановление дифференциальных сечений неупругого рассеяния строится на фитинг-процедуре, базирующейся на многократном решении прямой задачи, с подгоночными параметрами. Высокая эффективность фитинг-процедуры основана на построении численного решения уравнений для парциальных интенсивностей, методике, которая сочетает точность и рекордно высокое быстродействие. В работе получены дифференциальные сечения неупругого рассеяния электронов, как для приповерхностной области, так и для однородного массива, удаленного от поверхности. Вычисление дифференциальных сечений неупругого рассеяния выполнено как для чистого бериллия, так и для образцов бериллия, подвергшихся имплантации дейтерием. Найдены относительные концентрации дейтерия в бериллии, составляющие n_D_(Be) = 0.12 ± 0.02 для дозы облучения 5.5 х х 10~(21) м~(-2) и n_D_(Be) = 0.15 ± 0.03 для дозы облучения 20.1 х 10~(21) м~(-2). Из полученных результатов следует, что развитый метод позволил на порядок увеличить чувствительность определения относительных концентраций изотопов водорода в соединениях по сравнению с ранее существующими.