机译:GaN外延层中载流子寿命的时域和频域测量
Vilnius State Univ, Inst Mat Sci & Appl Res, LT-10222 Vilnius, Lithuania;
Rensselaer Polytech Inst, Dept ECE, Troy, NY 12180 USA;
Rensselaer Polytech Inst, CIE, Troy, NY 12180 USA;
Sensor Elect Technol Inc, Columbia, SC 29209 USA;
gallium nitride; carrier lifetime; photoluminescence; LUMINESCENCE; YELLOW;
机译:红宝石晶体,用于展示荧光寿命测量的时域和频域方法
机译:红宝石晶体用于演示荧光寿命测量的时域和频域方法
机译:通过MEMOCVD™生长的GaN外延层中的载流子寿命和扩散
机译:监测碳空位消除的4H-SiC外延层中深度分辨的载流子寿命测量
机译:低成本的频域红宝石荧光寿命测量方法。
机译:使用低成本频域荧光寿命成像显微镜在分子张力探针中进行FRET效率测量
机译:4H-SiC外延层载流子寿命研究及电子辐照控制寿命
机译:n( - )4H-siC外延层中的载流子寿命测量。