机译:基于精确LDD电阻模型的LDMOSFET导通状态I-V特性计算
Nanoelectronics Center of Excellence, School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran;
Nanoelectronics Center of Excellence, School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran;
Nanoelectronics Center of Excellence, School of Electrical and Computer Engineering, University of Tehran, Tehran, Iran;
School of Electrical and Computer Engineering, Purdue University, West Lafayette, IN 47907, USA;
LDMOSFET; LDD resistance; I-V characteristics; Analytical modeling;
机译:LDD MOSFET的I-V特性的有效半经验模型
机译:STI指状件在LDMOSFET中降低通态电阻的实验结果
机译:基于SiC及其固体溶液在复合电荷模型中的肖特基屏障模型非线性下线浓度和二极管I-V型I-V特性的计算
机译:基于照明I-V特性的双二极管建模的精确有机太阳能电池参数提取方法
机译:使用渐近方法,利用靠近硅/二氧化硅界面的薄氧化物,利用量子力学效应对MOSFET器件的电流-电压(I-V)特性进行建模。
机译:基于有限元的大脑刺激中的电场计算:优化的处理管道用于生成和使用精确的单个头部模型
机译:考虑动态导通态电阻的GaN基硬度切换半桥的功率损耗表征及建模