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机译:沟道长度对小分子薄膜晶体管电学特性影响的实验研究与分析建模
Laboratoirede Physique des Materiaux: Structure et Proprietes, Groupe Physique des Composants et Dispositifs Nanometriques, Faculte des Sciencesde Bizerte, 7021 Jarzouna-Bizerte, Universite de Carthage, Tunisia,Department d'Enginyeria Electronica, Universitat Politecnica de Catalunya, C/Jordi Girona, Modul C4, 08034 Barcelona, Spain;
Laboratoirede Physique des Materiaux: Structure et Proprietes, Groupe Physique des Composants et Dispositifs Nanometriques, Faculte des Sciencesde Bizerte, 7021 Jarzouna-Bizerte, Universite de Carthage, Tunisia;
Laboratoirede Physique des Materiaux: Structure et Proprietes, Groupe Physique des Composants et Dispositifs Nanometriques, Faculte des Sciencesde Bizerte, 7021 Jarzouna-Bizerte, Universite de Carthage, Tunisia;
Department d'Enginyeria Electronica, Universitat Politecnica de Catalunya, C/Jordi Girona, Modul C4, 08034 Barcelona, Spain;
p-type small-molecule; Channel length effect; Contact and channel resistances; Variable range hopping (VRH) model;
机译:频道长度和有源层型对有机薄膜晶体管电特性的影响:理论与实验研究
机译:具有肖特基接触的底栅,底接触有机薄膜晶体管中与沟道长度有关的电学特性的实验和数值分析
机译:后退火对原子层沉积ZnO沟道/ Al2O3-介电薄膜晶体管电学特性的影响
机译:具有多个纳米线通道的薄膜晶体管电特性的温度依赖性
机译:隧道场效应晶体管的解析模型和GaN高电子迁移率晶体管的实验研究。
机译:氧气流速对氧化铟锌薄膜晶体管沟道宽度电性能的影响
机译:通道长度对小分子薄膜晶体管电特性影响的实验研究和分析建模
机译:双极晶体管和二极管电瞬态失效 - 预测失效模型与实验损伤测试。 2. aFWL晶体管和二极管失效模型