MOCVD法によるィ匕合物半導体エピタキシャル成長(Ⅳ)

摘要

GaAsに代表される化合物半導体はその優れた電子輸送特性、高周波特性等を活かし、現在スマートフォン、タブレツトPC、通信基地局等の通信デバイス用に広く用いられている。その中の主要用途の一つとしてスマートフォンの信号送受信を司るフロントエンドモジュールが挙げられ、その中の信号送信用パワーアンプ等にInGaP系ヘテロ接合バイポーラトランジスタ(InGaP-HBT)が適用されている。本稿ではこのInGaP-HBTの有機金属気相成長法を用いた結晶成長技術について解説する。%GaAs based compound semiconductors have been widely used for mobile applications in devices, such as smartphones, tablet PCs, base stations, and so on, because of their superior RF properties. One of their major applications is the FEMs(Front-End Modules)of mobile phones, and InGaP-HBT which is suitable for power amplifiers in FEMs has been developed. In this paper InGaP-HBT epitaxial wafer fabrication techniques using MOCVD growth method are reviewed.