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Semiconductor lasers for planar integrated optoelectronics

机译:用于平面集成光电的半导体激光器

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摘要

We review progress in novel semiconductor lasers positioned to enable planar optoelectronic integration and to facilitate the realization of functional photonic devices. Lateral injection of current into the active region of a semiconductor laser has been pursued, mostly empirically, since the early 1970s. In this work. we focus on recent advances in the development of a device model which accounts for the qualitative structural and operational differences between lateral and conventional vertical injection lasers. We review fabrication methods - both established and emerging suitable for LCI laser realization. Finally, we report the results of recent combined theoretical-experimental explorations of laser performance.
机译:我们回顾了新颖的半导体激光器的进展,这些激光器的位置使得能够进行平面光电集成并促进功能性光子器件的实现。自1970年代初以来,大多数是凭经验进行横向注入电流到半导体激光器的有源区。在这项工作中。我们关注于设备模型开发的最新进展,该模型说明了横向和传统垂直注入激光器之间的定性结构和操作差异。我们回顾制造方法-已建立的和正在出现的适合LCI激光实现的方法。最后,我们报告了激光性能的最新组合理论-实验探索的结果。

著录项

  • 来源
    《Solid-State Electronics》 |2000年第1期|147-173|共27页
  • 作者

    Edward H. Sargent;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 eng
  • 中图分类 一般性问题;
  • 关键词

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