机译:接触层中的电流扩散和谐振隧道二极管的二维数值计算模型
Moscow Institute of Electronic Technology, MIET, K-498, Moscow 103498, Russia;
resonant-tunneling diode; numerical simulation;
机译:隔离层对谐振隧道二极管电流-电压特性的影响
机译:InGaN / GaN发光二极管中n接触层和电流扩散层的蚀刻深度的影响
机译:谐振隧道二极管的组合数值模型
机译:非欧姆电流分量接触P型层的SiC PIN二极管中正向电压的数值评估
机译:基于氮化镓的发光二极管的建模,以实现均匀的电流扩散。
机译:使用多层堆叠的AlGaN / GaN结构改善紫外发光二极管的电流扩展性能
机译:电流在背面接触的GAINP / GAAs发光二极管中展开
机译:二维射流和边界层粒度分布的数值计算