机译:三维多子带集合Monte Carlo模拟的Si纳米线FET彻底研究
Univ Granada Dept Elect E-18071 Granada Spain;
Gate-all-around MOSFET; Monte Carlo simulation; Multi-subband; Short-channel effects; Nanowire orientation;
机译:使用3D多子带集成Monte Carlo模拟对Si纳米线FET进行全面研究
机译:缩放GAA MOSFET的多子带集成Monte Carlo仿真
机译:用于32 nm节点及更高节点的体MOSFET的多子带集成Monte Carlo模拟
机译:〈100〉和〈110〉 Si纳米线FET的3D多子带集成Monte Carlo模拟
机译:基于特征2的有限主体中的线性递归构造点集,以进行蒙特卡洛模拟和准蒙特卡洛积分。
机译:多子带蒙特卡洛研究在亚10纳米Si纳米线FET中散射机制对载流子传输的优势
机译:FinFET和纳米线晶体管的3D多子带集合蒙特卡罗模拟器
机译:实空间转移的集合蒙特卡罗模拟(NERFET /正泰)(负差分电阻场效应晶体管/电荷注入晶体管)器件