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机译:使用有限接地共面波导(FGCPW)设计的W波段InP HEMT MMIC
机译:使用有限接地共面波导(FGCPW)设计的W波段InP HEMT MMIC
机译:某些片上有限地面共面波导(FGCPW)-内置被动设备在高温下的性能下降
机译:适用于W波段共面MMIC放大器设计的0.1μm变形HEMT的小信号建模方法
机译:采用有限接地CPW设计的基于W波段InP的HEMT MMIC功率放大器
机译:InP HBT功率放大器MMIC在220GHz时可达到0.4W
机译:0.1μmAlGaN / GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)工艺的改进大信号模型及其在W波段实用单片微波集成电路(MMIC)设计中的应用
机译:W波段Inp HEmT mmIC采用有限地面共面波导(FGCpW)设计
机译:0.1um Inp HEmT器件和用于从x波段到W波段的低温低噪声放大器的mmIC