...
机译:封装的1.1GHz CMOS VCO,在600kHz偏移下具有-126 dBc / Hz的相位噪声
机译:封装的1.1GHz CMOS VCO,在600kHz偏移处具有-126 dBc / Hz的相位噪声
机译:1.23 GHz单片CMOS VCO,在3 MHz偏移下具有-137 dBc / Hz的相位噪声
机译:2.3 MW多频时钟发生器,具有-137 DBC / Hz相位噪声VCO,180 NM Digital CMOS技术
机译:具有1MHz偏移,-10%连续FTR和−187 dBc / Hz FoMT的-101.7 dBc / Hz相位噪声的四核60 GHz推-推45 nm SOI CMOS VCO
机译:1 / f诱导的相位噪声建模和针对OFDM应用的低相位噪声RF CMOS VCO设计。
机译:单片低噪声和低零重力偏移CMOS / MEMS加速度计读出方案
机译:2.2GHz 7.6mW子采样pLL,带有-126dBc / Hz带内相位噪声和0.18μmCmOs中的0.15psrms抖动