机译:具有互补像素架构和采用0.25μmCMOS工艺制造的脉宽调制的1.0V VDD CMOS有源像素传感器
CMOS image sensors; analogue-digital conversion; low-power electronics; pulse width modulation; readout electronics; 0.25 micron; 1.0 V; CMOS active-pixel sensor; analog-to-digital converter; complementary active pixel sensor architecture; complementary pixel arch;
机译:1.0V V / sub DD / CMOS有源像素传感器,具有互补像素架构和脉宽调制,采用0.25- / spl mu / m CMOS工艺制造
机译:使用1.8V,0.25- / spl mu / m CMOS技术制造的CMOS有源像素图像传感器
机译:eLeNA:用于评估复位降噪架构的参数CMOS有源像素传感器
机译:具有0.25 / spl mu / m CMOS工艺制造的具有互补像素结构的1.0V V / sub DD / CMOS有源像素图像传感器
机译:CMOS图像传感器暗电流补偿的差分积分器像素架构
机译:使用标准BSI工艺制造的3.0μm三倍增益像素的90 dB以上场景内单曝光动态范围CMOS图像传感器
机译:采用标准BsI工艺制造的3.0μm三倍增益像素的超过90 dB场景内单次曝光动态范围CmOs图像传感器