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机译:自衬底触发技术可增强多指ESD保护器件的导通均匀性
CMOS integrated circuits; MOSFET; electrostatic discharge; protection; substrates; 0.13 micron; 25 Aring; BJT; CMOS process; ESD current; center-finger nMOS transistors; multifinger ESD protection devices; multifinger GGnMOS structure; multifinger gate-grounded nMOS;
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