...
机译:在0.25μmSiGe BiCMOS技术中使用3.8GHz时钟在950MHz时提供63dB SNR,75mW带通RF Σ∆ ADC
BiCMOS integrated circuits; Ge-Si alloys; band-pass filters; circuit feedback; clocks; continuous time filters; jitter; sigma-delta modulation; transfer functions; 0.25 micron; 1 MHz; 1.25 V; 200 kHz; 3.8 GHz; 75 mW; 950 MHz; BiCMOS technology; RF signals; SiGe; analog-to-;
机译:在0.25-μmu{hbox {m}} $ SiGe BiCMOS技术中使用3.8GHz时钟,在950MHz时具有63dB SNR,75mW带通RF $ SigmaDelta $ ADC
机译:采用SiGe BiCMOS的16位65-MS / s 3.3V管线ADC内核,具有78dB SNR和180fs抖动
机译:在0.25μm SiGe-BiCMOS的第二奈奎斯特频带中具有7.3 ENOB和52.7 dBc SFDR的6GS / s 9.5b单核流水线折叠式内插ADC
机译:1.5-GHz 63DB SNR 20MW直接RF采样带通VCO的ADC在65nm CMOS中
机译:采用SIGE BiCMOS技术的高速SAR ADC设计
机译:64-GBD DP-Bipolar-8ASK传输超过120公里的SSMF,采用单片集成的驱动器和MZM,在0.25-μmsige bicmos技术中