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机译:毫米波SiGe HBT E类和堆叠E类功率放大器的性能极限,设计和实现
University of Southern California, Los Angeles, CA, USA;
Heterojunction bipolar transistors; Power amplifiers; Power generation; Silicon germanium; Switches; Transient analysis; formula formulatype="inline" tex Notation="TeX"$BV_{rm CBO}$/tex/formula; formula formulatype="inline"tex Notation="TeX"$BV_{rm CEO}$/tex/formula; HBT; Q-band; class-E; millimeter-wave; power amplifier (PA); silicon germanium (SiGe); transmitter;
机译:MM波类-E功率放大器的分析与设计步骤
机译:45 nm绝缘体上金属-氧化物-半导体的多输出堆叠式E类毫米波功率放大器:理论与实现
机译:具有非线性输出寄生电容的任何占空比的E类ZCS / ZCDS功率放大器的设计,分析和实现
机译:三叠式E类毫米波SiGe HBT功率放大器
机译:批量CMOS中经过优化的E类RF功率放大器设计。
机译:由E类发射机驱动的经皮射频供电的可植入微型泵
机译:基于HBT的高效E级功率放大器,适用于2 GHz
机译:考虑陷阱和热效应的GaN / alGaN HEmT E类功率放大器设计。