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机译:使用软氧化物击穿的物理上无法克隆的功能,具有40%CMOS中的0%原始BER和51.8 fJ / bit
Katholieke Univ Leuven Res Grp Comp Secur & Ind Cryptog COSIC B-3001 Leuven Belgium|IMEC Device Reliabil & Elect Characterizat Grp B-3001 Heverlee Belgium;
IMEC Device Reliabil & Elect Characterizat Grp B-3001 Heverlee Belgium;
Katholieke Univ Leuven Res Grp Comp Secur & Ind Cryptog COSIC B-3001 Leuven Belgium;
CMOS; cryptography; hardware security; oxide breakdown (BD); physically unclonable function (PUF);
机译:14nm Trigate CMOS中具有选择性位去稳定功能的4fJ / b延迟强化物理不可克隆的功能电路
机译:静态物理上无法克隆的功能,可确保芯片识别安全,在0.6–1 V和65 nm的15 fJ / bit时具有1.9–5.8%的固有位不稳定性
机译:215平方米的双稳态物理不可渗透功能,ACF为<0.005,目的位不稳定为2.05%,在65-NM CMOS过程中
机译:在40nm CMOS中使用软氧化物击穿,具有0%BER的物理上无法克隆的功能
机译:将膦酸酯和海藻糖类似物抑制剂对接至结核分枝杆菌 霉酚基转移酶Ag85C:两种得分适应度功能的比较 Gold软件中的GoldScore和ChemScore
机译:使用40nm CMOS中使用柔软的氧化氧化物分解的物理上不可渗透功能