...
机译:120 ns 128k X 8位/ 64k X 16位Cmos Eeprom
机译:120 ns 128 K * 8位/ 64 K * 16位CMOS EEPROM
机译:硬化CMOS 64K和256K SRAM的SEU表征
机译:具有梯度误差抑制的8位低成本串DAC,以实现16位线性度
机译:采用商选择架构和适用于低压VLSI的真单相自举动态电路技术的1.5 V CMOS高速16位/ spl除法/ 8位除法器
机译:CMOS VLSI和EEPROMs绝缘子中电离辐射诱导的电荷陷阱和界面陷阱产生的研究。
机译:用于RFID应答器EEPROM的低功耗低纹波CMOS高压发生器
机译:8位,16位和32位微控制器上的高速Curve25519
机译:sEU(单事件翻转)表征硬化的CmOs 64K和256K sRam。