机译:亚稳缺陷的空间分布对A-SI-H P-I-N和N-I-P太阳能电池性能的影响-实验与数值模拟
UNIV KAISERSLAUTERN FACHBEREICH PHYS POSTFACH 3049 D-67663 KAISERSLAUTERN GERMANY;
Kev-electron irradiation; Recombination; Stability;
机译:亚稳缺陷的空间分布对A-SI-H P-I-N和N-I-P太阳能电池性能的影响-实验与数值模拟
机译:在A-SI-H P-I-N型太阳能电池中引入底部ITO层的效应的研究
机译:氢化非晶硅p-i-n太阳能电池中高载流子注入下的亚稳态缺陷迁移
机译:亚稳缺陷的空间分布对降解a-Si:H太阳能电池性能的影响
机译:在n-i-p基板配置中通过多腔室沉积法制造薄膜a-Si:H太阳能电池的光谱椭偏研究。
机译:使用高介电常数(HDC)材料改善CTL-脊柱MRI的电磁场分布:数值模拟和实验
机译:用于常规(N-I-P)和倒置(P-I-N)架构的钙钛矿太阳能电池的新的含二氯联苯的有机空穴传输材料
机译:薄n-I-p辐射抗性太阳能电池可行性研究