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袁育杰; 张楷亮; 魏臻; 耿新华;
微晶硅; 太阳电池; 量子限制效应; P型掺杂层;
机译:p型微晶硅层的拉曼结晶度与n-i-p太阳能电池的开路电压之间的相关性
机译:掺入p型氢化纳米晶硅缓冲层对非晶硅n-i-p太阳能电池性能的影响
机译:以未掺杂的P3HT作为p型异质结层的高效顺序气相生长n-i-p CH3NH3PbI3钙钛矿型太阳能电池
机译:使用B(CH_3)_3和BF_3掺杂源气体在n-i-p太阳能电池的非晶硅上成核p型微晶硅
机译:碳60掺杂P型铋(0.5)锑(1.5)碲(3)的热电性能研究。
机译:化学p型掺杂的活性有机半导体对花青/ C60双层太阳能电池膜厚度和性能趋势的影响
机译:在n-i-p型微晶硅太阳能电池中通过热线化学气相沉积法生长的高透明微晶碳化硅作为窗口层
机译:应变高掺杂p型Gaas / Gaasp外延层中的拉曼散射。
机译:光电半导体芯片具有布置在n型隧道层和p型隧道层之间的未掺杂中间层的未掺杂区,其中n型和p型隧道层通过未掺杂区彼此分开。
机译:太阳能电池具有太阳能电池层,该太阳能电池层具有交替布置的几个n型掺杂区和p型掺杂区,使得连续的p型掺杂区和n型掺杂区通过本征区彼此隔开并间隔开。
机译:半导体元件隧道二极管具有n型掺杂的半导体层和p型掺杂的半导体层,在n型掺杂的半导体层上形成具有相邻的n型掺杂层面积的假晶半导体层
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