机译:Al / ZrO_2 / Si_(0.3)Ge_(0.7)异质MIS结构的漏电流特性和能带图
Department of Electronics and ECE, Indian Institute of Technology, Kharagpur 721 302, India;
机译:通过Al中间层介导的外延在Si_(0.7)Ge_(0.3)Ge_(0.3)上的Ni(AI)Si_(0.7)Ge_(0.3)的外延生长
机译:Al_2O_3 / Si_(0.7)Ge_(0.3)(001)和HfO_2 / Si_(0.7)Ge_(0.3)(001)的界面陷阱态通过原位N_2 / H_2 RF下游等离子体钝化减少
机译:AL_2O_3 / SI_(0.7)GE_(0.3)(001)&HFO_2 / SI_(0.7)GE_(0.3)(001)接口陷阱状态通过原位N_2 / H_2 RF下游等离子体钝化
机译:用低压化学气相沉积形成无定形Si和Si_(0.7)Ge_(0.7)的纳米晶体形成和微观结构演化
机译:苯乙烯均聚以及乙烯与苯乙烯共聚单体共聚中的双金属作用。使用负载型茂金属的高能量存储密度金属氧化物-聚烯烃纳米复合材料的范围,动力学和机理/催化原位合成。纳米粒子,形状和界面特性对漏电流密度,介电常数和击穿强度的影响
机译:宽带(011)-Pr0.7Sr0.3MnO3 / PMN-PT异质结构中磁性的各向异性调制和记忆效应
机译:在缺乏平行传导的情况下,$ Ge_ {0.7} Si_ {0.3} / Ge / Ge_ {0.7} Si_ {0.3} $调制掺杂异质结构的高室温空穴迁移率