机译:重硼掺杂对SiGe HBT电学特性的影响
State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, People's Republic of China;
机译:高能快速重离子辐照和退火对200?GHz SiGe HBT直流电特性的影响
机译:高性能SiGe HBT高硼掺杂超浅碱的形成
机译:在基极和集电极之间具有未掺杂SiGe隔离层的高速Si / SiGe HBT的直流特性和稳定性
机译:热载体和SWIFT重离子辐射对高200GHz SIGE HBT的电气特性的影响
机译:对HBT和HEMT的掺杂分布进行研究,以改善击穿和速度特性。
机译:大型硼掺杂金刚石单晶中原子硼 - 碳双层的岛屿的结构研究:逐步拉伸应力的来源
机译:N(-)-Si衬底上生长的掺硼P-SiGeC的电学性质